| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第一章 SOI技术与SOI新结构 | 第9-34页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·SOI技术综述 | 第9-22页 |
| ·SOI技术的发展过程 | 第10-11页 |
| ·SOI技术的优越性及其应用 | 第11-15页 |
| ·SOI主流技术 | 第15-22页 |
| ·注氧隔离技术 | 第15-16页 |
| ·智能剥离技术 | 第16-17页 |
| ·原子层剥离技术 | 第17页 |
| ·多孔硅外延层转移技术 | 第17-22页 |
| ·SOI新结构 | 第22-29页 |
| ·SOI新结构及其应用 | 第23-29页 |
| ·第一类SOI新结构 | 第23-28页 |
| ·第二类SOI新结构 | 第28-29页 |
| ·本论文的工作 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-34页 |
| 第二章 ELTRAN SOI与纳米硅锥的研究 | 第34-49页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·多孔硅外延转移制备SOI材料 | 第34-43页 |
| ·多孔硅的制备 | 第34-35页 |
| ·外延层转移制备SOI结构 | 第35-43页 |
| ·多孔硅上外延单晶硅 | 第36-37页 |
| ·硅片键合和外延层转移 | 第37页 |
| ·腐蚀表面残余多孔硅 | 第37-38页 |
| ·ELTRAN SOI材料的性能表征 | 第38-43页 |
| ·硅和多孔硅衬底上纳米硅锥及其场发射性能的研究 | 第43-47页 |
| ·实验 | 第44页 |
| ·结果和讨论 | 第44-47页 |
| ·小结 | 第47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 第三章 ELTRAN技术制备以SI_3N_4为埋层的SOI新结构 | 第49-62页 |
| ·引言 | 第49-50页 |
| ·氮化硅薄膜的制备及其性质 | 第50-51页 |
| ·注氮分离(SIMNI)的技术 | 第51-53页 |
| ·实验 | 第53-54页 |
| ·结果和讨论 | 第54-59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 第四章 ELTRAN技术制备双埋层SOIM新结构 | 第62-76页 |
| ·引言 | 第62-63页 |
| ·SOIM结构中氮化硅与氧化硅厚度比的分析 | 第63-65页 |
| ·实验过程 | 第65-66页 |
| ·实验结果与讨论 | 第66-72页 |
| ·键合机制分析 | 第66-69页 |
| ·TEM分析 | 第69-71页 |
| ·电学性能分析 | 第71-72页 |
| ·硅片的翘曲度分析 | 第72-74页 |
| ·小结 | 第74页 |
| 参考文献 | 第74-76页 |
| 第五章 SOIM器件的自加热效应研究 | 第76-86页 |
| ·引言 | 第76页 |
| ·由自加热效应产生的现象研究 | 第76-79页 |
| ·MEDICI软件简介 | 第79-80页 |
| ·SOIM新结构在抑制自加热效应方面的研究 | 第80-84页 |
| ·小结 | 第84页 |
| 参考文献 | 第84-86页 |
| 第六章 三埋层SOIM材料的制备 | 第86-94页 |
| ·引言 | 第86-87页 |
| ·材料制备 | 第87-89页 |
| ·实验结果与讨论 | 第89-92页 |
| ·小结 | 第92-93页 |
| 参考文献 | 第93-94页 |
| 第七章 单晶SOG及SI-LITAO_3集成的探索 | 第94-105页 |
| ·引言 | 第94-95页 |
| ·SOG材料的研究 | 第95-99页 |
| ·材料的制备方法介绍 | 第95-97页 |
| ·实验过程 | 第97-98页 |
| ·结果与讨论 | 第98-99页 |
| ·用智能剥离技术实现SI-LITAO_3集成的实验探讨 | 第99-102页 |
| ·LITAO_3材料简介 | 第99-101页 |
| ·实验方法研究 | 第101-102页 |
| ·小结 | 第102-103页 |
| 参考文献 | 第103-105页 |
| 第八章 总结 | 第105-107页 |
| 发表论文目录 | 第107-109页 |
| 致谢 | 第109-110页 |
| 作者简历 | 第110-111页 |
| 学位论文独创性声明 | 第111页 |
