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电迁移寿命预警电路设计

摘要第1-5页
Abstract第5-6页
目录第6-8页
Contents第8-10页
第一章 绪论第10-17页
   ·研究背景第10-13页
   ·国内外技术发展现状分析第13-16页
   ·本课题的来源及主要研究任务第16-17页
第二章 预兆单元法第17-25页
   ·预兆单元法原理第17-18页
   ·集成电路失效机理研究第18-24页
     ·与时间有关的电介质击穿第18-20页
     ·热载流子效应第20-22页
     ·电迁移第22-23页
     ·静电放电第23-24页
   ·本章小结第24-25页
第三章 电迁移预警电路各模块实现方式第25-54页
   ·电路原理图的设计第25-26页
   ·电流源第26-34页
     ·高电源抑制比的电流第27-30页
     ·与温度无关的基准第30-32页
     ·带隙基准第32-34页
   ·比较器第34-48页
     ·比较器的特性第34-37页
     ·比较器的分类及结构第37-48页
   ·电阻第48-53页
     ·阱电阻第48-49页
     ·p+/n+电阻第49页
     ·多晶硅电阻第49-51页
     ·金属电阻第51页
     ·MOS管电阻第51-53页
   ·本章小结第53-54页
第四章 预警电路设计及仿真第54-67页
   ·整体电路设计第54-57页
     ·电流源模块第55-56页
     ·比较器模块第56-57页
     ·电阻模块第57页
   ·电路仿真第57-66页
     ·瞬态分析第60-63页
     ·直流分析第63-66页
   ·本章小结第66-67页
第五章 结论第67-68页
参考文献第68-72页
攻读学位期间发表的论文第72-74页
致谢第74页

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