| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1. 绪论 | 第9-19页 |
| ·课题研究的目的和意义 | 第9-10页 |
| ·国内外综述 | 第10-18页 |
| ·微传感器和位移传感器 | 第10-16页 |
| ·共振隧穿现象 | 第16-18页 |
| ·课题主要研究内容 | 第18-19页 |
| 2. 共振隧穿薄膜原理 | 第19-33页 |
| ·半导体知识 | 第19-25页 |
| ·超晶格量子阱 | 第19-21页 |
| ·半导体材料的费米能级 | 第21-23页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族半导体及GaAs 和Al_xGa_(1-x)As 材料 | 第23-25页 |
| ·共振隧穿理论 | 第25-33页 |
| ·透射系数和电流密度公式的理论推导 | 第27-30页 |
| ·基于共振隧穿双势垒结构的I-V 曲线计算分析 | 第30-33页 |
| 3. 应变片性能分析 | 第33-45页 |
| ·物理参数随应变的变化 | 第33-35页 |
| ·垒高、垒宽、阱宽对透射系数和隧穿电流的影响 | 第35-42页 |
| ·垒高、垒宽、阱宽对透射系数的影响 | 第35-37页 |
| ·垒高、垒宽、阱宽对隧穿电流的影响 | 第37-42页 |
| ·应变、偏压对透射系数和隧穿电流的影响 | 第42-43页 |
| ·半导体压阻效应与介观压阻效应的比较 | 第43-45页 |
| 4. 应变式位移传感器设计原理 | 第45-54页 |
| ·位移传感器的弹性梁 | 第46-50页 |
| ·等截面梁 | 第46-48页 |
| ·变截面梁(等强度梁) | 第48-50页 |
| ·电阻应变片的测量电路 | 第50-54页 |
| 5. 传感器弹性元件的有限元分析 | 第54-71页 |
| ·有限元分析方法和ANSYS 软件 | 第54-59页 |
| ·有限元分析方法 | 第54-57页 |
| ·软件组成和特点 | 第57-59页 |
| ·弹性梁 | 第59-70页 |
| ·等截面弹性梁的静力学分析 | 第59-62页 |
| ·等截面弹性梁的动力学分析 | 第62-65页 |
| ·等强度梁的分析 | 第65-70页 |
| ·计算结果与小结 | 第70-71页 |
| 6. 结论 | 第71-73页 |
| ·全文总结 | 第71页 |
| ·进一步展望 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-78页 |
| 攻读硕士研究生期间发表的论文 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79页 |