稀磁半导体（GaMn）N发光及非线性光学特性研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| ·稀磁半导体材料概述 | 第10-11页 |
| ·稀磁半导体材料的广泛应用 | 第11-15页 |
| ·稀磁半导体的应用前景 | 第11-13页 |
| ·电子自旋材料的标准 | 第13-15页 |
| ·铁磁性起源机制 | 第15-17页 |
| 参考文献 | 第17-19页 |
| 第二章 (GaMn)N 的研究进展及论文主要内容 | 第19-25页 |
| ·稀磁半导体(GaMn)N 的研究现状 | 第19-21页 |
| ·(GaMn)N 材料的磁学性质研究 | 第19-20页 |
| ·(GaMn)N 材料的光学和电学性质的研究 | 第20-21页 |
| ·论文研究的意义与主要内容 | 第21-23页 |
| 参考文献 | 第23-25页 |
| 第三章 (GaMn)N 薄膜的制备及结构特性 | 第25-40页 |
| ·引言 | 第25-26页 |
| ·(GaMn)N 薄膜的制备 | 第26-29页 |
| ·HVPE 方法生长的GaN 薄膜 | 第26-27页 |
| ·离子注入制备(GaMn)N 薄膜 | 第27-28页 |
| ·快速热退火(RTA) | 第28-29页 |
| ·(GaMn)N 薄膜结构特性的测量 | 第29-34页 |
| ·(GaMn)N 薄膜结构的表征 | 第29-31页 |
| ·(GaMn)N 薄膜的晶格常数 | 第31-34页 |
| ·光学测量方法及实验仪器 | 第34-37页 |
| ·光致发光光谱介绍 | 第35-36页 |
| ·发光光谱的实验仪器 | 第36-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-40页 |
| 第四章 (GaMn)N 薄膜的发光特性 | 第40-58页 |
| ·引言 | 第40-45页 |
| ·(GaMn)N 薄膜的发光特性的研究 | 第45-54页 |
| ·室温下(GaMn)N 薄膜的发光光谱 | 第45-46页 |
| ·223K 下(GaMn)N 的发光光谱 | 第46-48页 |
| ·变激发强度的(GaMn)N 发光光谱 | 第48-49页 |
| ·(GaMn)N 的变温发光光谱 | 第49-54页 |
| ·小结 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 第五章 (GaMn)N 薄膜的非线性光学特性 | 第58-81页 |
| ·引言 | 第58-62页 |
| ·透射Z 扫描概述 | 第58-61页 |
| ·反射Z 扫描概述 | 第61-62页 |
| ·Z 扫描理论基础 | 第62-69页 |
| ·透射Z 扫描理论基础 | 第62-67页 |
| ·反射Z 扫描理论基础 | 第67-68页 |
| ·双层膜的等效Z 扫描理论 | 第68-69页 |
| ·扫描实验系统介绍 | 第69-75页 |
| ·飞秒激光系统介绍 | 第70-72页 |
| ·PerkinElmer 锁相放大器和斩波器介绍 | 第72-73页 |
| ·步进电机介绍 | 第73-74页 |
| ·Z 扫描实验系统软件介绍 | 第74-75页 |
| ·实验样品及结果讨论 | 第75-78页 |
| ·实验样品 | 第75页 |
| ·GaN 薄膜非线性折射率 | 第75-76页 |
| ·(GaMn)N 薄膜非线性折射率 | 第76-78页 |
| ·小结 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-81页 |
| 第六章 总结 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第83-86页 |
| 答辩决议书 | 第86页 |
