| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 InP基本结构与属性 | 第11-13页 |
| 1.3 InP的应用 | 第13-14页 |
| 1.4 InP合成方法介绍 | 第14-17页 |
| 1.4.1 水平布里奇曼法 | 第14-15页 |
| 1.4.2 注入法 | 第15-17页 |
| 1.5 InP晶体生长方法介绍 | 第17-19页 |
| 1.5.1 垂直梯度凝固和垂直布里奇曼技术 | 第17-18页 |
| 1.5.2 液封直拉技术 | 第18-19页 |
| 1.6 国内外研究现状 | 第19-21页 |
| 1.7 本文的目的意义 | 第21页 |
| 1.8 本文的内容与结构安排 | 第21-23页 |
| 第二章 非配比InP的合成与晶体生长 | 第23-35页 |
| 2.1 技术路线 | 第23页 |
| 2.2 InP晶体生长模拟仿真 | 第23-29页 |
| 2.2.1 模拟仿真介绍 | 第23-27页 |
| 2.2.1.1 仿真模拟软件CGSim简介 | 第23页 |
| 2.2.1.2 CGSim的仿真模拟原理 | 第23-24页 |
| 2.2.1.3 LEC法InP单晶生长系统建模 | 第24-27页 |
| 2.2.2 坩埚转速对熔体对流及晶体生长界面形状的影响 | 第27-28页 |
| 2.2.3 晶体转速对熔体对流及晶体生长界面形状的影响 | 第28-29页 |
| 2.3 注入法合成InP | 第29-32页 |
| 2.3.1 实验准备 | 第29-30页 |
| 2.3.2 真空处理及装炉 | 第30页 |
| 2.3.3 非配比InP熔体的合成控制 | 第30-32页 |
| 2.4 非配比InP晶体生长与控制 | 第32-34页 |
| 2.4.1 引晶 | 第32页 |
| 2.4.2 放肩 | 第32-33页 |
| 2.4.3 等径 | 第33页 |
| 2.4.4 收尾 | 第33-34页 |
| 2.5 测试样品的制备 | 第34-35页 |
| 2.5.1 切片 | 第34页 |
| 2.5.2 研磨抛光 | 第34-35页 |
| 第三章 InP晶体检测方法简介 | 第35-40页 |
| 3.1 位错腐蚀与检测 | 第35-36页 |
| 3.2 霍尔测试 | 第36-37页 |
| 3.3 光致发光谱技术 | 第37-38页 |
| 3.4 X射线衍射 | 第38-39页 |
| 3.5 扫描电子显微镜 | 第39-40页 |
| 第四章 富铟熔体生长的InP晶体缺陷分析 | 第40-51页 |
| 4.1 富铟缺陷概述 | 第40-41页 |
| 4.2 铟夹杂的形态及形成分析 | 第41-45页 |
| 4.2.1 铟夹杂的形态 | 第41-42页 |
| 4.2.2 铟夹杂的形成 | 第42-43页 |
| 4.2.3 晶体生长速率对铟夹杂形成的影响 | 第43-45页 |
| 4.3 铟夹杂对晶体结晶质量的影响 | 第45-46页 |
| 4.3.1 位错腐蚀分析 | 第45-46页 |
| 4.3.2 XRD结果分析 | 第46页 |
| 4.4 铟夹杂对晶体物理特性的影响 | 第46-51页 |
| 4.4.1 电学表征 | 第46-49页 |
| 4.4.2 光学表征 | 第49-51页 |
| 第五章 富磷熔体生长的InP晶体缺陷分析 | 第51-58页 |
| 5.1 富磷缺陷概述 | 第51页 |
| 5.2 气孔的形态及形成分析 | 第51-55页 |
| 5.2.1 气孔的形态 | 第51-53页 |
| 5.2.2 气孔的形成 | 第53-55页 |
| 5.3 气孔对晶体结晶质量的影响 | 第55-58页 |
| 5.3.1 位错腐蚀分析 | 第55-56页 |
| 5.3.2 XRD结果分析 | 第56-58页 |
| 第六章 总结 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |