| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 Heusler合金 | 第10-13页 |
| 1.1.1 Heusler合金简介 | 第10页 |
| 1.1.2 Heusler合金晶体结构 | 第10-12页 |
| 1.1.3 Heusler合金中的各类功能材料 | 第12-13页 |
| 1.2 半金属材料 | 第13-15页 |
| 1.2.1 半金属材料的基本特征 | 第13-14页 |
| 1.2.2 半金属材料的研究现状 | 第14页 |
| 1.2.3 Slater-Pauling法则 | 第14-15页 |
| 1.3 具有特殊能带结构的半导体和半金属材料 | 第15-17页 |
| 1.4 拓扑绝缘体 | 第17页 |
| 1.5 本课题研究的目的、意义和内容 | 第17-18页 |
| 第二章 理论计算和实验方法 | 第18-22页 |
| 2.1 理论计算方法 | 第18-19页 |
| 2.1.1 第一性原理计算 | 第18页 |
| 2.1.2 本文使用的计算软件 | 第18-19页 |
| 2.2 样品的制备方法与设备 | 第19-20页 |
| 2.2.1 块材多晶样品的制备 | 第19页 |
| 2.2.2 退火及淬火热处理制备材料 | 第19-20页 |
| 2.3 X射线衍射仪 | 第20-22页 |
| 第三章 ZrFeVZ(Z=Al,Ga,In)型Heusler合金电子结构和磁性的研究 | 第22-32页 |
| 3.1 引言 | 第22页 |
| 3.2 计算模型与方法 | 第22-23页 |
| 3.3 计算结果和讨论 | 第23-30页 |
| 3.3.1 ZrFeVZ(Z=Al,Ga,In)合金的结构优化 | 第23-25页 |
| 3.3.2 ZrFeVZ(Z=Al,Ga,In)合金的电子结构和磁性 | 第25-27页 |
| 3.3.3 晶格畸变对ZrFeVZ(Z=Al,Ga,In)合金磁性和半金属性的影响 | 第27-30页 |
| 3.4 本章小结 | 第30-32页 |
| 第四章 FeMnScZ(Z=Al,Ga,In)Heusler合金电子结构和磁性的研究 | 第32-42页 |
| 4.1 引言 | 第32-33页 |
| 4.2 计算模型 | 第33页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第33-41页 |
| 4.3.1 FeMnScZ(Z=Al,Ga,In)合金能带结构的研究 | 第33-36页 |
| 4.3.2 主族和过渡族元素掺杂对FeMnScAl合金能带结构的影响 | 第36-38页 |
| 4.3.3 晶格畸变对FeMnScZ(Z=Al,Ga,In)合金能带的影响 | 第38-41页 |
| 4.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第五章 Cr2Mn基Heusler合金半金属性、零带隙稳定性和合成的研究 | 第42-54页 |
| 5.1 引言 | 第42页 |
| 5.2 计算方法与实验方法 | 第42-43页 |
| 5.3 结果和讨论 | 第43-53页 |
| 5.3.1 Cr_2MnZ(Z=Al,Ga,In)系列合金的电子结构和磁性研究 | 第43-49页 |
| 5.3.2 Fe掺杂对Cr2MnZ(Z=Al,Ga,In)系列合金能带结构的影响 | 第49-50页 |
| 5.3.3 Ga掺杂对Cr2MnAl合金能带结构的影响 | 第50页 |
| 5.3.4 Cr_2MnAl1-xGax(x=0,0.25,0.5,0.75)系列合金的晶体结构 | 第50-53页 |
| 5.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第六章 掺杂对半Heusler型拓扑绝缘体YPdBi合金电子结构影响的研究 | 第54-66页 |
| 6.1 引言 | 第54页 |
| 6.2 计算模型与方法 | 第54-55页 |
| 6.3 结果和讨论 | 第55-65页 |
| 6.3.1 由YPdBi掺杂所形成的三种系列合金电子结构的研究 | 第55-60页 |
| 6.3.2 分析引起能带翻转原因的研究 | 第60-61页 |
| 6.3.3 LDA、GGA、MBJLDA三种近似方法对合金能带结构影响的研究 | 第61-62页 |
| 6.3.4 LDA、GGA、MBJLDA三种近似方法下Y0.75Lu0.25PdBi合金在等轴应力下的能带结构 | 第62-65页 |
| 6.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第七章 结论 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
