| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 核辐射探测器简介 | 第8-12页 |
| 1.3 室温核辐射探测器半导体材料与研究现状 | 第12-14页 |
| 1.4 Bi_(0.95)Sb_(0.05)I_3研究进展 | 第14-15页 |
| 1.5 本课题选题思路 | 第15-17页 |
| 2 SBI的晶体生长 | 第17-32页 |
| 2.1 晶体生长方法介绍 | 第17-20页 |
| 2.2 熔体法生长晶体的原理 | 第20-25页 |
| 2.3 电控动态梯度法(EDG)生长BiI_3和SBI单晶 | 第25-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 3 SBI的性能表征 | 第32-47页 |
| 3.1 晶体的切割和表面处理工艺 | 第32-35页 |
| 3.2 SBI晶体的XRD表征 | 第35-38页 |
| 3.3 SBI晶片的红外透过光谱 | 第38-39页 |
| 3.4 SBI晶体的电性能表征 | 第39-42页 |
| 3.5 晶体均匀性 | 第42-46页 |
| 3.6 本章小结 | 第46-47页 |
| 4 退火对SBI晶片性能的影响 | 第47-56页 |
| 4.1 退火的实验过程 | 第47页 |
| 4.2 退火对电学性能的影响 | 第47-51页 |
| 4.3 退火对能谱响应的影响 | 第51-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 5 总结与展望 | 第56-57页 |
| 5.1 全文总结 | 第56页 |
| 5.2 展望 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |