| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 专用术语注释表 | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-12页 |
| 1.2 类脑器件的分类 | 第12-14页 |
| 1.2.1 基于质子或离子传递刺激的晶体管类脑器件 | 第12-13页 |
| 1.2.2 基于光子传递刺激的晶体管类脑器件 | 第13-14页 |
| 1.3 本文主要工作内容 | 第14页 |
| 1.4 本文结构安排 | 第14-16页 |
| 第二章 神经元突触器件的研究现状 | 第16-26页 |
| 2.1 突触晶体管制备工艺中的使用的技术 | 第16-17页 |
| 2.1.1 电子束光刻 | 第16页 |
| 2.1.2 等离子体增强化学气相沉积法PECVD | 第16-17页 |
| 2.1.3 原子层沉积ALD | 第17页 |
| 2.1.4 物理气相沉积PVD | 第17页 |
| 2.2 基于碳纳米管(CNT)的突触晶体管 | 第17-19页 |
| 2.2.1 基于碳纳米管的突触晶体管的制备工艺 | 第18页 |
| 2.2.2 基于碳纳米管的突触晶体管的模拟特性 | 第18-19页 |
| 2.3 基于无机质子传导电解质作为隔离层的突触晶体管 | 第19-24页 |
| 2.3.1 单个IZO同质结突触晶体管 | 第20-21页 |
| 2.3.2 多栅极的IZO同质结突触晶体管 | 第21-23页 |
| 2.3.3 基于PET衬底可移动IGZO双电层的突触晶体管 | 第23-24页 |
| 2.4 基于忆阻器的突触晶体管 | 第24-25页 |
| 2.4.1 单个忆阻器与NMOS晶体管的集成 | 第24页 |
| 2.4.2 生物突触习惯化与去习惯化特性的模拟 | 第24-25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 光致突触晶体管的设计、制备与结构表征 | 第26-37页 |
| 3.1 GaN晶片形成的难题 | 第26-32页 |
| 3.1.1 衬底材料的选择 | 第27-30页 |
| 3.1.2 外延缓冲层材料的选择 | 第30-32页 |
| 3.2 光致突触晶体管的结构设计 | 第32页 |
| 3.3 光致突触晶体管的制备流程 | 第32-36页 |
| 3.3.1 制备设备的研究 | 第32-34页 |
| 3.3.2 制备过程 | 第34-36页 |
| 3.4 光致突触晶体管的物理结构表征 | 第36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 点对点神经元器件的测试与结果分析 | 第37-42页 |
| 4.1 点对点神经元器件的工作原理 | 第37-38页 |
| 4.2 器件的测量系统图 | 第38页 |
| 4.3 器件测试及结果分析 | 第38-41页 |
| 4.3.1 单刺激时延时测试 | 第38-39页 |
| 4.3.2 双刺激的叠加测试 | 第39-40页 |
| 4.3.3 连续刺激的饱和测试 | 第40-41页 |
| 4.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第五章 神经元组网器件的演进 | 第42-47页 |
| 5.1 神经元组网器件的形成 | 第42-44页 |
| 5.1.1 双发射极光致晶体管的设计 | 第42-43页 |
| 5.1.2 神经元组网器件的制备流程 | 第43-44页 |
| 5.1.3 神经元组网器件的物理表征 | 第44页 |
| 5.2 神经元组网器件的工作原理 | 第44-45页 |
| 5.3 神经元组网器件的工作原理 | 第45-46页 |
| 5.3.1 多维单个刺激下记忆效应的叠加 | 第45-46页 |
| 5.3.2 多维连续刺激下记忆效应的饱和 | 第46页 |
| 5.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第六章 总结与展望 | 第47-49页 |
| 6.1 本文工作总结 | 第47-48页 |
| 6.2 未来与展望 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第52-53页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第53-54页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55页 |
