| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-25页 |
| 1.1 功率器件的研究背景及意义 | 第17-19页 |
| 1.2 功率器件的研究现状 | 第19-23页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第23-25页 |
| 第二章 器件仿真软件及流程 | 第25-29页 |
| 2.1 ISE-TCAD仿真软件及流程 | 第25-27页 |
| 2.1.1 ISE-TCAD软件 | 第25-26页 |
| 2.1.2 仿真流程 | 第26-27页 |
| 2.2 ADS仿真软件及模型 | 第27-28页 |
| 2.2.1 ADS软件 | 第27-28页 |
| 2.2.2 EE-FET3模型 | 第28页 |
| 2.3 制作工艺 | 第28页 |
| 2.4 本章总结 | 第28-29页 |
| 第三章 具有多凹陷缓冲层的 4H-SiC MESFET结构设计 | 第29-49页 |
| 3.1 器件结构及工作原理 | 第29-31页 |
| 3.2 仿真物理模型 | 第31-35页 |
| 3.2.1 迁移率模型 | 第32-34页 |
| 3.2.2 复合模型 | 第34页 |
| 3.2.3 雪崩离化模型 | 第34-35页 |
| 3.3 直流性能仿真结果及分析 | 第35-39页 |
| 3.3.1 饱和漏电流密度 | 第35-36页 |
| 3.3.2 击穿电压 | 第36-38页 |
| 3.3.3 输出功率密度 | 第38-39页 |
| 3.4 射频性能仿真结果及分析 | 第39-41页 |
| 3.4.1 栅源电容 | 第39-40页 |
| 3.4.2 跨导 | 第40-41页 |
| 3.4.3 截止频率 | 第41页 |
| 3.5 MRB MESFET结构凹陷缓冲层长度及深度的优化 | 第41-47页 |
| 3.5.1 栅漏间凹陷长度 | 第42-43页 |
| 3.5.2 栅源间凹陷长度 | 第43-45页 |
| 3.5.3 凹陷深度 | 第45-47页 |
| 3.6 本章总结 | 第47-49页 |
| 第四章 器件模型参数对PAE的影响研究 | 第49-67页 |
| 4.1 仿真软件及模型 | 第49页 |
| 4.2 器件仿真模型 | 第49-57页 |
| 4.2.1 漏源电流模型 | 第49-51页 |
| 4.2.2 分散电流（I_(db)）模型 | 第51-53页 |
| 4.2.3 栅电荷模型 | 第53-55页 |
| 4.2.4 输出电荷与延迟 | 第55-56页 |
| 4.2.5 栅极正向导通和击穿 | 第56页 |
| 4.2.6 噪声模型 | 第56-57页 |
| 4.3 器件性能参数对功率附加效率的影响 | 第57-63页 |
| 4.3.1 阈值电压V_(to) | 第58-59页 |
| 4.3.2 跨导饱和电压V_(go) | 第59页 |
| 4.3.3 跨导G_(mmax) | 第59-60页 |
| 4.3.4 电阻R | 第60-61页 |
| 4.3.5 最大输入电容C_(11o) | 第61-62页 |
| 4.3.6 最小输入电容C_(11th) | 第62页 |
| 4.3.7 转换电压Deltgs | 第62-63页 |
| 4.4 MRB MESFET结构再优化 | 第63-65页 |
| 4.5 本章总结 | 第65-67页 |
| 第五章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 5.1 工作总结 | 第67-68页 |
| 5.2 研究展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 作者简介 | 第75-77页 |