首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--半导体二极管论文--二极管:按结构和性能分论文

ZnO/Cs2CO3作为电子传输层QLED器件的构筑及其性能研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第10-28页
    1.1 量子点发光二极管的研究背景及发展现状第10-18页
        1.1.1 量子点发光二极管的研究背景第10-12页
        1.1.2 量子点发光二极管的发展进程第12-18页
    1.2 量子点发光二极管的发光机理第18-20页
    1.3 量子点发光二极管的电子传输材料的发展第20-25页
        1.3.1 电子传输材料概况第20-21页
        1.3.2 ZnO作电子传输材料的优势第21-23页
        1.3.3 Cs_2CO_3在QLED中的应用第23-25页
    1.4 选题意义及主要研究内容第25-28页
        1.4.1 目前存在的问题第25页
        1.4.2 本论文的主要研究内容第25-28页
第二章 ZnO/Cs_2CO_3作为电子传输层在绿色QLED器件中的应用第28-46页
    2.1 引言第28页
    2.2 器件构筑第28-31页
        2.2.1 实验材料与实验仪器第28-30页
        2.2.2 QLED器件构筑第30-31页
    2.3 结果与讨论第31-43页
        2.3.1 绿色量子点的表征第32页
        2.3.2 器件结构设计第32-33页
        2.3.3 Cs_2CO_3层溶剂对器件性能的影响第33-35页
        2.3.4 Cs_2CO_3层不同浓度对器件的影响第35-36页
        2.3.5 Cs_2CO_3层不同旋涂转速对器件的影响第36-37页
        2.3.6 Cs_2CO_3层不同退火温度对器件的影响第37-40页
        2.3.7 最佳器件性能比较第40-43页
    2.4 本章小结第43-46页
第三章 Zn_(1-x)Mg_xO/Cs_2CO_3作为电子传输层在绿色QLED器件中的应用第46-54页
    3.1 引言第46页
    3.2 器件构筑第46-47页
        3.2.1 实验材料与实验仪器第46-47页
        3.2.2 QLED器件构筑第47页
    3.3 结果与讨论第47-52页
        3.3.1 Zn_(1-x)Mg_xO作电子传输层对QLED器件性能的影响第47-49页
        3.3.2 Zn_(1-x)Mg_xO/Cs_2CO_3作电子传输层对QLED器件性能的影响第49-52页
    3.4 本章小结第52-54页
第四章 总结与展望第54-56页
    4.1 总结第54-55页
    4.2 展望第55-56页
参考文献第56-62页
攻读硕士学位期间的科研成果第62-64页
致谢第64-65页

论文共65页,点击 下载论文
上一篇:银纳米线/铝掺杂氧化锌复合电极在全透明QLED中的应用
下一篇:不完备信息条件下的多移动节点协同定位方法研究