摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-8页 |
第一章 绪论 | 第11-25页 |
1.1 量子点发光二极管的概况 | 第11页 |
1.2 QLED的发光机制及研究现状 | 第11-17页 |
1.2.1 QLED的发光机制 | 第11-12页 |
1.2.2 QLED的研究现状 | 第12-17页 |
1.3 透明电极在光电器件中的应用概况 | 第17-22页 |
1.3.1 透明电极在全透明QLED的应用进展 | 第17-20页 |
1.3.2 复合透明电极在其他光电器件的应用概况 | 第20-22页 |
1.4 目前存在的问题 | 第22-23页 |
1.5 本论文的主要研究思路及内容 | 第23-25页 |
1.5.1 本论文的主要研究思路 | 第23页 |
1.5.2 本论文的主要研究内容 | 第23-25页 |
第二章 银纳米线/铝掺杂氧化锌复合电极的制备 | 第25-37页 |
2.1 引言 | 第25页 |
2.2 AgNWs/AZO复合电极的制备 | 第25-26页 |
2.2.1 实验材料 | 第25-26页 |
2.2.2 实验仪器设备 | 第26页 |
2.2.3 实验过程 | 第26页 |
2.3 ALD生长AZO薄膜机理 | 第26-28页 |
2.4 结果与讨论 | 第28-35页 |
2.4.1 AZO薄膜的制备 | 第28-31页 |
2.4.2 银纳米线薄膜的制备 | 第31-33页 |
2.4.3 AgNWs/AZO复合电极的制备 | 第33-35页 |
2.5 本章小结 | 第35-37页 |
第三章 AgNWs/AZO复合电极作为阴极在全透明正型QLED中的应用 | 第37-51页 |
3.1 引言 | 第37-38页 |
3.2 实验部分 | 第38-39页 |
3.2.1 实验材料 | 第38页 |
3.2.2 实验仪器 | 第38页 |
3.2.3 全透明正型QLED器件的构筑 | 第38-39页 |
3.3 结果与讨论 | 第39-48页 |
3.3.1 全透明正型QLED器件结构设计 | 第39-41页 |
3.3.2 不同结构上电极在全透明正型QLED器件的应用 | 第41-43页 |
3.3.3 不同厚度AZO复合电极在全透明正型QLED器件的应用 | 第43-46页 |
3.3.4 全透明正型QLED器件的优化 | 第46-48页 |
3.4 本章小结 | 第48-51页 |
第四章 AgNWs/AZO复合电极作为阳极在全透明反型QLED中的应用 | 第51-61页 |
4.1 引言 | 第51-52页 |
4.2 实验部分 | 第52-53页 |
4.2.1 实验材料 | 第52页 |
4.2.2 实验仪器 | 第52页 |
4.2.3 全透明反型QLED器件的构筑 | 第52-53页 |
4.3 结果与讨论 | 第53-58页 |
4.3.1 全透明反型QLED器件结构设计 | 第53-54页 |
4.3.2 不同结构上电极在全透明反型QLED器件的应用 | 第54-56页 |
4.3.3 不同厚度AZO复合电极在全透明反型QLED器件的应用 | 第56-58页 |
4.4 本章小结 | 第58-61页 |
总结与展望 | 第61-63页 |
总结 | 第61-62页 |
存在的问题与展望 | 第62-63页 |
参考文献 | 第63-71页 |
攻读硕士学位期间的科研成果 | 第71-73页 |
致谢 | 第73-74页 |