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封闭形栅NMOS晶体管的设计与器件特性研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第10-14页
    1.1 研究背景和意义第10-11页
    1.2 国内外研究现状第11-12页
    1.3 本论文的主要内容第12-14页
第二章 封闭形栅NMOS晶体管的设计与实现第14-25页
    2.1 封闭形栅NMOS晶体管的概述第14-15页
    2.2 封闭形栅NMOS晶体管的版图设计第15-20页
        2.2.1 对称型封闭形栅NMOS晶体管的设计第18-19页
        2.2.2 环形栅NMOS晶体管的设计第19页
        2.2.3 半环形栅NMOS晶体管的设计第19-20页
    2.3 封闭形栅NMOS晶体管的封装与实现第20-22页
        2.3.1 封装板的设计第20-21页
        2.3.2 引脚分配与压焊第21-22页
    2.4 测试结果第22-24页
        2.4.1 输出特性第22-23页
        2.4.2 转移特性第23-24页
    2.5 本章小结第24-25页
第三章 封闭形栅NMOS晶体管的器件性能研究第25-35页
    3.1 概述第25页
    3.2 封闭形栅的最小宽长比和面积损耗第25-27页
        3.2.1 研究方法第25页
        3.2.2 不同栅形的最小W/L和面积损耗的对比讨论第25-27页
    3.3 封闭形栅的电特性与有效宽长比提取第27-34页
        3.3.1 环形栅的有效W/L与电特性第27-31页
        3.3.2 半环形栅的有效W/L与电特性第31-34页
    3.4 本章小结第34-35页
第四章 封闭形栅NMOS晶体管的辐射效应研究第35-55页
    4.1 空间辐射环境第35-37页
        4.1.1 宇宙射线第36页
        4.1.2 范?艾伦辐射带第36-37页
    4.2 CMOS集成电路的辐射效应第37-45页
        4.2.1 总剂量辐射效应第38-41页
        4.2.2 单粒子辐射效应第41-45页
            4.2.2.1 单粒子闩锁效应第43-44页
            4.2.2.2 单粒子翻转效应第44-45页
    4.3 封闭形栅NMOS晶体管的总剂量辐射效应研究第45-49页
        4.3.1 总剂量辐射效应的实验研究第45-47页
        4.3.2 总剂量辐射效应的仿真研究第47-49页
    4.4 结果及对比分析第49-53页
        4.4.1 转移特性曲线的变化第49-53页
        4.4.2 阈值电压漂移的变化第53页
    4.5 本章小结第53-55页
第五章 封闭形栅NMOS晶体管的热载流子效应研究第55-67页
    5.1 热载流子效应概述第55-58页
        5.1.1 热载流子效应的种类第55-57页
        5.1.2 热载流子效应的损伤机制第57-58页
    5.2 热载流子效应实验研究第58-62页
        5.2.1 MOS器件可靠性测试原理第59-60页
        5.2.2 测试系统与实验方法第60-62页
    5.3 结果及分析第62-66页
        5.3.1 应力下Id-Vd特性曲线研究第62-63页
        5.3.2 应力下Id-Vg特性曲线研究第63-64页
        5.3.3 阈值电压及跨导变化第64-66页
    5.4 本章小结第66-67页
第六章 总结与展望第67-69页
    6.1 总结第67-68页
    6.2 展望第68-69页
致谢第69-70页
参考文献第70-74页
攻读硕士学位期间取得的成果第74-75页

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