| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 本论文的主要内容 | 第12-14页 |
| 第二章 封闭形栅NMOS晶体管的设计与实现 | 第14-25页 |
| 2.1 封闭形栅NMOS晶体管的概述 | 第14-15页 |
| 2.2 封闭形栅NMOS晶体管的版图设计 | 第15-20页 |
| 2.2.1 对称型封闭形栅NMOS晶体管的设计 | 第18-19页 |
| 2.2.2 环形栅NMOS晶体管的设计 | 第19页 |
| 2.2.3 半环形栅NMOS晶体管的设计 | 第19-20页 |
| 2.3 封闭形栅NMOS晶体管的封装与实现 | 第20-22页 |
| 2.3.1 封装板的设计 | 第20-21页 |
| 2.3.2 引脚分配与压焊 | 第21-22页 |
| 2.4 测试结果 | 第22-24页 |
| 2.4.1 输出特性 | 第22-23页 |
| 2.4.2 转移特性 | 第23-24页 |
| 2.5 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 封闭形栅NMOS晶体管的器件性能研究 | 第25-35页 |
| 3.1 概述 | 第25页 |
| 3.2 封闭形栅的最小宽长比和面积损耗 | 第25-27页 |
| 3.2.1 研究方法 | 第25页 |
| 3.2.2 不同栅形的最小W/L和面积损耗的对比讨论 | 第25-27页 |
| 3.3 封闭形栅的电特性与有效宽长比提取 | 第27-34页 |
| 3.3.1 环形栅的有效W/L与电特性 | 第27-31页 |
| 3.3.2 半环形栅的有效W/L与电特性 | 第31-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 封闭形栅NMOS晶体管的辐射效应研究 | 第35-55页 |
| 4.1 空间辐射环境 | 第35-37页 |
| 4.1.1 宇宙射线 | 第36页 |
| 4.1.2 范?艾伦辐射带 | 第36-37页 |
| 4.2 CMOS集成电路的辐射效应 | 第37-45页 |
| 4.2.1 总剂量辐射效应 | 第38-41页 |
| 4.2.2 单粒子辐射效应 | 第41-45页 |
| 4.2.2.1 单粒子闩锁效应 | 第43-44页 |
| 4.2.2.2 单粒子翻转效应 | 第44-45页 |
| 4.3 封闭形栅NMOS晶体管的总剂量辐射效应研究 | 第45-49页 |
| 4.3.1 总剂量辐射效应的实验研究 | 第45-47页 |
| 4.3.2 总剂量辐射效应的仿真研究 | 第47-49页 |
| 4.4 结果及对比分析 | 第49-53页 |
| 4.4.1 转移特性曲线的变化 | 第49-53页 |
| 4.4.2 阈值电压漂移的变化 | 第53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 封闭形栅NMOS晶体管的热载流子效应研究 | 第55-67页 |
| 5.1 热载流子效应概述 | 第55-58页 |
| 5.1.1 热载流子效应的种类 | 第55-57页 |
| 5.1.2 热载流子效应的损伤机制 | 第57-58页 |
| 5.2 热载流子效应实验研究 | 第58-62页 |
| 5.2.1 MOS器件可靠性测试原理 | 第59-60页 |
| 5.2.2 测试系统与实验方法 | 第60-62页 |
| 5.3 结果及分析 | 第62-66页 |
| 5.3.1 应力下Id-Vd特性曲线研究 | 第62-63页 |
| 5.3.2 应力下Id-Vg特性曲线研究 | 第63-64页 |
| 5.3.3 阈值电压及跨导变化 | 第64-66页 |
| 5.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 第六章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 6.1 总结 | 第67-68页 |
| 6.2 展望 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第74-75页 |