| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 1 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 选题背景及意义 | 第9-11页 |
| 1.2 Si 基 MOS 器件的发展及其局限性 | 第11-12页 |
| 1.3 GaAs MOS 器件研究概况 | 第12-14页 |
| 1.4 几种高 k 栅介质材料的特性 | 第14-15页 |
| 1.5 高 k 栅介质 InGaAs MOSFETs 结构仿真 | 第15-16页 |
| 1.6 本文的主要内容及结构安排 | 第16-18页 |
| 2 主要制备工艺和特性表征方法 | 第18-27页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 薄膜制备工艺 | 第18-21页 |
| 2.3 电特性测量 | 第21-25页 |
| 2.4 薄膜厚度测量及界面质量的微观分析 | 第25-27页 |
| 3 表面预处理对 GaAs MOS 器件电特性的影响 | 第27-34页 |
| 3.1 引言 | 第27-28页 |
| 3.2 实验过程 | 第28-29页 |
| 3.3 不同表面预处理 GaAs MOS 器件的电特性 | 第29-31页 |
| 3.4 淀积后退火温度对 HfO_2/SiN_x/GaAs MOS 器件的影响 | 第31-33页 |
| 3.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 4 叠层高 k 栅介质 GaAs MOS 器件制备及电特性研究 | 第34-43页 |
| 4.1 引言 | 第34页 |
| 4.2 实验过程 | 第34-36页 |
| 4.3 叠层高 k 栅介质 GaAs MOS 器件的电特性 | 第36-38页 |
| 4.4 叠层栅介质对 GaAs MOS 器件界面化学键能的影响 | 第38-41页 |
| 4.5 本章小结 | 第41-43页 |
| 5 高 k 栅介质 InGaAs MOSFETs 结构设计与仿真 | 第43-52页 |
| 5.1 引言 | 第43-44页 |
| 5.2 器件仿真 | 第44-46页 |
| 5.3 结果分析 | 第46-50页 |
| 5.4 结论 | 第50-52页 |
| 6 总结及展望 | 第52-55页 |
| 6.1 总结与创新点 | 第52-54页 |
| 6.2 展望 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-65页 |
| 附录 作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第65页 |
