摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
第一章 绪论 | 第8-17页 |
1.1 过渡金属硫属化合物 | 第8-9页 |
1.2 体相和单层MoS_2的基本性质与器件应用 | 第9-11页 |
1.2.1 MoS_2材料的基本性质 | 第9-10页 |
1.2.2 基于MoS_2材料的电子器件 | 第10-11页 |
1.3 MoS_2纳米带的基本性质及改性研究 | 第11-13页 |
1.3.1 MoS_2纳米带的基本性质 | 第11-12页 |
1.3.2 MoS_2纳米带的改性 | 第12-13页 |
1.4 本文的主要研究内容和目的 | 第13-14页 |
参考文献 | 第14-17页 |
第二章 理论基础和计算方法 | 第17-24页 |
2.1 绝热近似 | 第17页 |
2.2 单电子近似 | 第17-18页 |
2.3 密度泛函理论 | 第18-21页 |
2.3.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第18页 |
2.3.2 Kohn-Sham方程 | 第18-20页 |
2.3.3 交换关联泛函 | 第20页 |
2.3.4 赝势方法 | 第20-21页 |
2.4 弱范德华力 | 第21页 |
2.5 VASP程序简介 | 第21-22页 |
参考文献 | 第22-24页 |
第三章 边缘钝化诱导锯齿形MoS_2纳米带的单边铁磁性 | 第24-33页 |
3.1 引言 | 第24页 |
3.2 模型和计算方法 | 第24-25页 |
3.3 结果与讨论 | 第25-29页 |
3.3.1 ZMoS_2NR的结构研究 | 第25-26页 |
3.3.2 O边缘钝化ZMoS_2NR的电子结构 | 第26-28页 |
3.3.3 O边缘钝化ZMoS_2NR的磁结构 | 第28-29页 |
3.4 本章小结 | 第29-30页 |
参考文献 | 第30-33页 |
第四章 过渡金属元素掺杂扶手椅型MoS_2纳米带的电子结构和磁性质 | 第33-47页 |
4.1 引言 | 第33页 |
4.2 模型和计算方法 | 第33-35页 |
4.3 结果与讨论 | 第35-44页 |
4.3.1 过渡金属元素掺杂AMoS_2NR的结构稳定性 | 第35-37页 |
4.3.2 3d、4d过渡金属元素掺杂AMoS_2NR的磁性 | 第37-41页 |
4.3.3 掺杂浓度对AMoS_2NR磁性的影响 | 第41-42页 |
4.3.4 过渡金属元素掺杂AMoS_2NR的居里温度 | 第42-44页 |
4.4 本章小结 | 第44页 |
参考文献 | 第44-47页 |
第五章 边缘钝化诱导扶手椅型MoS_2纳米带的间接-直接带隙转变及其光学应用 | 第47-56页 |
5.1 引言 | 第47页 |
5.2 模型和计算方法 | 第47-48页 |
5.3 结果与讨论 | 第48-54页 |
5.3.1 纯扶手椅型MoS_2纳米带和全H钝化后的电子结构 | 第48-53页 |
5.3.2 不同钝化类型的扶手椅型MoS_2纳米带的电子结构 | 第53-54页 |
5.4 本章小结 | 第54页 |
参考文献 | 第54-56页 |
第六章 总结和展望 | 第56-58页 |
致谢与感悟 | 第58-60页 |
攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第60-61页 |