| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 二维过渡金属硫属化合物的研究进展 | 第8-11页 |
| 1.1.1 二维过渡金属硫属化合物的晶体结构 | 第8-10页 |
| 1.1.2 二维过渡金属硫属化合物的电学性质和光学性质 | 第10-11页 |
| 1.1.3 二维过渡金属硫属化合物的合金 | 第11页 |
| 1.2 化学气相沉积法(CVD)简介 | 第11-13页 |
| 1.2.1 化学气相沉积(CVD)原理 | 第11-12页 |
| 1.2.2 化学气相沉积(CVD)装置系统 | 第12-13页 |
| 1.2.3 化学气相沉积(CVD)在二维过渡金属硫属化合物制备中的应用 | 第13页 |
| 1.3 气体传感器 | 第13-16页 |
| 1.3.1 气体传感器的研究意义 | 第13-14页 |
| 1.3.2 气体传感器的分类 | 第14-15页 |
| 1.3.3 二维过渡金属硫属化合物气敏传感器的工作原理 | 第15-16页 |
| 2 二维过渡金属硫属化合物的表征技术 | 第16-22页 |
| 2.1 X射线衍射 | 第16-17页 |
| 2.2 X射线光电子能谱(XPS) | 第17-18页 |
| 2.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第18-19页 |
| 2.4 高分辨透射电子显微镜(HRTEM) | 第19页 |
| 2.5 拉曼光谱(Ramanspectra) | 第19-20页 |
| 2.6 紫外-可见-近红外吸收光谱(UV-vis-NIRabsorptionspectra) | 第20-22页 |
| 3 垂直排列ReS2纳米片及垂直排列ReS_(2(1-x))Se_(2x)合金纳米片的制备 | 第22-36页 |
| 3.1 实验原料 | 第22页 |
| 3.2 化学气相沉积法制备垂直排列ReS2纳米片 | 第22-23页 |
| 3.3 垂直排列ReS2纳米片的结构表征 | 第23-24页 |
| 3.4 硒化方法制备垂直排列ReS_(2(1-x))Se_(2x)合金纳米片 | 第24页 |
| 3.5 垂直排列ReS_(2(1-x))Se_(2x)合金纳米片的结构表征 | 第24页 |
| 3.6 气敏传感器的制作与测试 | 第24-26页 |
| 3.6.1 气敏传感器的制作 | 第24-25页 |
| 3.6.2 气敏传感器的测试 | 第25-26页 |
| 3.7 结果与讨论 | 第26-34页 |
| 3.7.1 垂直排列ReS_(2(1-x))Se_(2x)合金纳米片的形貌与结构 | 第26-34页 |
| 3.7.2 垂直排列ReS_(2(1-x))Se_(2x)合金纳米片的气敏性能测试 | 第34页 |
| 3.8 小结 | 第34-36页 |
| 结论 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-40页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第40-41页 |
| 致谢 | 第41页 |
