| 目录 | 第7-12页 |
| 摘要 | 第12-14页 |
| Abstract | 第14-15页 |
| 第一章 绪论 | 第16-58页 |
| 1.1 镁及镁合金简介 | 第16-19页 |
| 1.1.1 镁合金的组成及性能 | 第16-17页 |
| 1.1.2 镁合金的应用 | 第17-19页 |
| 1.2 镁合金的防护 | 第19-21页 |
| 1.2.1 环境调整 | 第19-20页 |
| 1.2.2 表面清洗 | 第20页 |
| 1.2.3 表面调制 | 第20页 |
| 1.2.4 金属层 | 第20页 |
| 1.2.5 表面转化 | 第20-21页 |
| 1.2.6 非金属表面涂层 | 第21页 |
| 1.2.7 复合涂层 | 第21页 |
| 1.3 镁合金的微弧氧化 | 第21-32页 |
| 1.3.1 微弧氧化的电源类型 | 第21-25页 |
| 1.3.1.1 恒流氧化电源 | 第22-23页 |
| 1.3.1.2 恒压氧化电源 | 第23-24页 |
| 1.3.1.3 混合电源 | 第24-25页 |
| 1.3.2 电源参数对微弧氧化膜性能的影响 | 第25-26页 |
| 1.3.3 电解液成分对微弧氧化膜性能的影响 | 第26-29页 |
| 1.3.3.1 无机盐类的影响 | 第27-28页 |
| 1.3.3.2 有机添加剂的影响 | 第28页 |
| 1.3.3.3 溶胶的影响 | 第28-29页 |
| 1.3.4 镁合金基体对微弧氧化膜性能的影响 | 第29页 |
| 1.3.5 镁合金阳极氧化机理 | 第29-31页 |
| 1.3.5.1 恒流氧化机理 | 第30-31页 |
| 1.3.5.2 恒压氧化机理 | 第31页 |
| 1.3.6 微弧氧化膜的其它性能 | 第31-32页 |
| 1.4 微红外成像技术简介 | 第32-36页 |
| 1.4.1 显微红外的两种成像模式 | 第32-33页 |
| 1.4.2 显微红外成像的采样模式 | 第33-35页 |
| 1.4.3 微红外成像图的基本分析过程 | 第35页 |
| 1.4.4 显微红外成像技术的应用 | 第35-36页 |
| 1.5 扫描电化学显微镜(SECM)简介 | 第36-38页 |
| 1.5.1 扫描电化学显微镜(SECM)的基本原理 | 第36-37页 |
| 1.5.2 扫描电化学显微镜(SECM)的应用领域 | 第37-38页 |
| 1.6 本论文的研究目的和意义 | 第38-40页 |
| 参考文献 | 第40-58页 |
| 第二章 实验部分 | 第58-64页 |
| 2.1 实验材料 | 第58-59页 |
| 2.1.1 镁合金微弧氧化用实验材料 | 第58页 |
| 2.1.2 扫描电化学显微镜测试用化学试剂 | 第58-59页 |
| 2.2 材料测试方法 | 第59-62页 |
| 2.2.1 表面形貌分析(SEM) | 第59页 |
| 2.2.2 成分分析(XRD) | 第59页 |
| 2.2.3 厚度测试 | 第59页 |
| 2.2.4 电化学测试 | 第59-60页 |
| 2.2.5 扫描电化学显微镜(SECM) | 第60-61页 |
| 2.2.6 显微红外光谱(FTIR Microspectroscopy) | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 第三章 交变方波电源参数对微弧氧化膜的影响 | 第64-82页 |
| 3.1 引言 | 第64-65页 |
| 3.2 实验 | 第65-67页 |
| 3.2.1 实验装置 | 第65页 |
| 3.2.2 交变方波电源波形 | 第65-66页 |
| 3.2.3 正交实验的水平和因素 | 第66-67页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第67-77页 |
| 3.3.1 交变方波电源参数对微弧氧化膜成分的影响 | 第67-68页 |
| 3.3.2 交变方波电源参数对微弧氧化膜厚度的影响 | 第68-70页 |
| 3.3.3 交变方波电源参数对微弧氧化膜EIS的影响 | 第70-74页 |
| 3.3.4 交变方波电源参数对微弧氧化膜表面形貌的影响 | 第74-75页 |
| 3.3.5 交变方波电源参数对微弧氧化膜结构的影响 | 第75-77页 |
| 3.4 本章小结 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-82页 |
| 第四章 微弧氧化膜主要成分的形成和转变 | 第82-98页 |
| 4.1 引言 | 第82-83页 |
| 4.2 实验 | 第83-94页 |
| 4.2.1 微弧氧化膜的组成 | 第83-84页 |
| 4.2.2 微弧氧化膜的红外谱图 | 第84-85页 |
| 4.2.3 微弧氧化膜中Mg(OH)_2的生成 | 第85-86页 |
| 4.2.4 微弧氧化膜中Mg(OH)_2在电极表面上的分布 | 第86-88页 |
| 4.2.5 浸泡时间对微弧氧化膜形貌的影响 | 第88-89页 |
| 4.2.6 浸泡时间对氧化膜表面MgO的影响 | 第89页 |
| 4.2.7 浸泡时间对氧化膜表面氯元素分布的影响 | 第89-91页 |
| 4.2.8 浸泡时间对氧化膜表面Mg(OH)_2分布的影响 | 第91-92页 |
| 4.2.9 电解液pH值对氧化膜表面Mg(OH)_2分布的影响 | 第92-94页 |
| 4.3 本章小结 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-98页 |
| 第五章 微弧氧化膜在水溶液中的极化行为 | 第98-118页 |
| 5.1 引言 | 第98-99页 |
| 5.2 实验 | 第99-103页 |
| 5.2.1 微弧氧化膜结构的影响 | 第99-100页 |
| 5.2.2 氯离子和pH值的影响 | 第100-101页 |
| 5.2.3 阴极极化度的影响 | 第101-102页 |
| 5.2.4 样品暴露面积的影响 | 第102-103页 |
| 5.3 讨论 | 第103-112页 |
| 5.3.1 镁合金AZ91D微弧氧化膜的转变 | 第103-106页 |
| 5.3.2 转变模型 | 第106-109页 |
| 5.3.3 速率控制步骤 | 第109-111页 |
| 5.3.4 极化曲线解构 | 第111-112页 |
| 5.4 本章小结 | 第112-114页 |
| 参考文献 | 第114-118页 |
| 第六章 微弧氧化膜在水溶液中的微观电化学行为 | 第118-136页 |
| 6.1 引言 | 第118页 |
| 6.2 实验 | 第118-119页 |
| 6.2.1 样品制备 | 第118-119页 |
| 6.2.2 SECM测试 | 第119页 |
| 6.3 实验结果 | 第119-131页 |
| 6.3.1 探针CV曲线和逼近曲线 | 第119-121页 |
| 6.3.2 微弧氧化膜在溶液中的电化学阻抗谱(EIS) | 第121-123页 |
| 6.3.3 微弧氧化膜活性点的产生及发展 | 第123-128页 |
| 6.3.4 微弧氧化膜人为缺陷在水溶液中的变化 | 第128-131页 |
| 6.4 讨论 | 第131-132页 |
| 6.5 本章小结 | 第132-134页 |
| 参考文献 | 第134-136页 |
| 第七章 总结与展望 | 第136-139页 |
| 博士期间发表的论文 | 第139-141页 |
| 致谢 | 第141页 |
