| 作者简介 | 第2-4页 |
| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 Si集成电路技术发展概况及存在的问题 | 第11-14页 |
| 1.2 SOI技术的特点与优势 | 第14-16页 |
| 1.3 SOI技术存在的问题 | 第16-17页 |
| 1.4 SOI技术发展的现状和展望 | 第17-19页 |
| 1.5 本文的主要研究工作和内容安排 | 第19-21页 |
| 第二章 SOI MOSFET的制备与理论模型 | 第21-39页 |
| 2.1 SOI材料的特点及技术分类 | 第21-23页 |
| 2.2 SOI的制备技术 | 第23-29页 |
| 2.2.1 注氧隔离技术 | 第24-25页 |
| 2.2.2 键合技术 | 第25-27页 |
| 2.2.3 智能剥离技术 | 第27-29页 |
| 2.3 SOI MOS器件的理论模型 | 第29-37页 |
| 2.3.1 厚膜和薄膜SOI器件及其主要工作模式 | 第30-31页 |
| 2.3.2 SOI MOS器件的阈值电压模型 | 第31-35页 |
| 2.3.3 SOI MOS器件的亚阈值模型 | 第35-37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-39页 |
| 第三章 SOI MOS器件高k栅介质研究 | 第39-61页 |
| 3.1 高k栅介质材料的基本特性 | 第39-41页 |
| 3.2 原子层淀积(ALD)制备HfO_2薄膜材料 | 第41-47页 |
| 3.2.1 ALD设备与主要工艺流程 | 第41-43页 |
| 3.2.2 ALD沉积HfO_2薄膜实验参数优化 | 第43-47页 |
| 3.3 高k栅介质SOI MOSFET特性研究 | 第47-54页 |
| 3.3.1 泊松方程和薛定谔方程自洽求解 | 第47-50页 |
| 3.3.2 模型结果与分析 | 第50-54页 |
| 3.4 高k堆栈栅介质SOI MOSFET研究 | 第54-59页 |
| 3.4.1 高k异质双栅SOI MOSFET | 第54-56页 |
| 3.4.2 仿真结果与分析 | 第56-59页 |
| 3.5 本章小结 | 第59-61页 |
| 第四章 SOI应变沟道性能研究 | 第61-85页 |
| 4.1 SOI应变沟道器件制备工艺 | 第61-66页 |
| 4.2 SOI应变沟道器件模型建立 | 第66-71页 |
| 4.3 应变硅沟道SOI结构性能分析 | 第71-82页 |
| 4.3.1 SGOI器件性能分析 | 第71-75页 |
| 4.3.2 SSDOI器件性能分析 | 第75-82页 |
| 4.4 本章小结 | 第82-85页 |
| 第五章 SOI结构自加热效应研究 | 第85-109页 |
| 5.1 SOI结构自加热效应理论分析 | 第85-90页 |
| 5.2 新型SOANN埋层SOI器件的自加热效应 | 第90-97页 |
| 5.2.1 AlN材料的性能和制备 | 第90-91页 |
| 5.2.2 新型SOANN埋层SOI器件制备和性能 | 第91-97页 |
| 5.3 双台阶式埋氧SGOI自加热效应研究 | 第97-107页 |
| 5.3.1 双台阶埋氧SGOI MOSFET的制备工艺 | 第97-99页 |
| 5.3.2 双台阶埋氧化层SGOI的性能模拟 | 第99-107页 |
| 5.4 本章小结 | 第107-109页 |
| 第六章 结论与展望 | 第109-113页 |
| 6.1 结论 | 第109-111页 |
| 6.2 展望 | 第111-113页 |
| 致谢 | 第113-115页 |
| 参考文献 | 第115-125页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第125-126页 |
