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超结器件的模型研究及优化设计

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
第一章 绪论第13-25页
    1.1 电力电子学和功率半导体器件介绍第13-14页
    1.2 硅极限第14-15页
    1.3 超结功率器件的结构及其工作原理第15页
    1.4 超结功率器件的市场应用第15-17页
    1.5 超结器件的制造工艺第17-23页
        1.5.1 多步外延技术第17-20页
        1.5.2 深槽刻蚀与外延生长技术第20-21页
        1.5.3 深槽刻蚀与气相掺杂技术第21-22页
        1.5.4 深槽刻蚀与多晶硅填充第22页
        1.5.5 多步离子注入技术第22-23页
        1.5.6 各种工艺的比较第23页
    1.6 本文的主要研究工作及结构安排第23-25页
第二章 非穿通型与穿通型平行平面结的新的设计表达式第25-37页
    2.1 半导体器件中的碰撞电离第25-27页
    2.2 过去采用电离率的FULOP模型的设计表达式第27-28页
    2.3 碰撞电离率积分的化简第28-29页
    2.4 NPT型结构的击穿电压、耐压层厚度与掺杂浓度三者之间的关系第29-33页
    2.5 优化的PT型结构的击穿电压、耐压层厚度、掺杂浓度三者之间的关系第33-36页
    2.6 结论第36-37页
第三章 平衡对称型的超结功率器件的比导通电阻的优化设计第37-50页
    3.1 超结器件的模型研究进展第37-38页
    3.2 电场分布的近似模型第38-43页
        3.2.1 沿电场线AA’和BB’的电场的近似表达式第38-41页
        3.2.2 电场线M'CM的求解第41-42页
        3.2.3 沿电场线M'CM的电场的近似表达式第42-43页
    3.3 超结柱掺杂浓度与柱深度的关系以及比导通电阻的优化第43-49页
        3.3.1 给定击穿电压和柱宽度条件下的N~W关系第43-46页
        3.3.2 给定柱宽度的条件下比导通电阻的优化第46-47页
        3.3.3 电荷非平衡对击穿电压的影响第47-48页
        3.3.4 两种优化条件下的瞬态结果的比较第48-49页
    3.4 结论第49-50页
第四章 梯形超结结构的二维电场分布第50-56页
    4.1 梯形超结结构的研究进展第50-52页
    4.2 梯形超结结构的解析模型第52-55页
        4.2.1 梯形超结结构的掺杂浓度分布第52-53页
        4.2.2 梯形超结结构的电势电场的求解第53-54页
        4.2.3 梯形超结结构的电场分布的近似处理第54-55页
    4.3 结论第55-56页
第五章 半超结功率器件的比导通电阻的优化设计第56-70页
    5.1 半超结器件的简介第56-59页
        5.1.1 半超结器件的背景第56-57页
        5.1.2 半超结器件的理论研究进展第57-59页
    5.2 给定深宽比AR的条件下超结器件的比导通电阻的优化第59-61页
    5.3 半超结结构的二维电势和电场分布第61-64页
        5.3.1 电荷叠加方法第61-62页
        5.3.2 零偏超结-本征电荷层(SJ-i层)的电场分布的求解第62-63页
        5.3.3 器件仿真结果与解析模型的比较第63-64页
    5.4 给定击穿电压和深宽比条件下半超结器件的比导通电阻的优化第64-67页
    5.5 电荷非平衡对击穿电压的影响分析第67-69页
    5.6 结论第69-70页
第六章 埋超结层的电场分布的解析模型第70-77页
    6.1 ODBR结构及其研究进展第70页
    6.2 埋超结层结构的电场分布模型第70-73页
    6.3 结果和讨论第73-76页
    6.4 结论第76-77页
第七章 结论与展望第77-79页
附录一 与本文有关的特殊函数和特殊常数第79-82页
附录二 PT型与NPT型平行平面结的设计表达式的求解的MATLAB计算程序第82-84页
附录三 超结的优化设计参数的MATLAB计算程序第84-87页
附录四 格林函数的推导第87-89页
附录五 用泊松方程求解超结-本征电荷层的二维电势电场分布第89-91页
附录六 半超结结构的电荷非平衡对电场的影响分析第91-93页
致谢第93-94页
参考文献第94-100页
攻博期间取得的研究成果第100页

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