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基于nc-Si:H TFTs的加速度传感器特性研究

中文摘要第5-8页
Abstract第8-11页
第1章 绪论第18-47页
    1.1 加速度传感器国内外研究现状第18-40页
        1.1.1 扩散硅压阻式加速度传感器第18-31页
        1.1.2 电容式加速度传感器第31-40页
    1.2 有机存储器第40-44页
        1.2.1 有机存储器发展概述第40-41页
        1.2.2 有机电阻开关材料、结构以及特性第41-44页
    1.3 基于nc-Si:H TFTs的加速度传感器研究目的和研究意义第44-45页
        1.3.1 研究目的第44-45页
        1.3.2 研究意义第45页
    1.4 论文主要研究内容第45-47页
第2章 基于nc-Si:H TFTs的加速度传感器基本结构与工作原理第47-66页
    2.1 基于nc-Si:H TFTs的加速度传感器结构第47-49页
        2.1.1 nc-Si:H TFT的结构与I_(DS)-V_(DS)特性第47-48页
        2.1.2 基于nc-Si:H TFTs的加速度传感器结构第48-49页
    2.2 基于nc-Si:H TFT的理论分析第49-52页
        2.2.1 外加压力P=0 时I-V特性分析第49-51页
        2.2.2 外加压力P≠0 时I-V特性分析第51-52页
    2.3 基于nc-Si:H TFTs的加速度传感器工作原理第52-58页
        2.3.1 梁的力学分析第52-55页
        2.3.2 压阻效应第55-56页
        2.3.3 基于nc-Si:H TFTs的加速度传感器电桥结构及其输出第56-58页
    2.4 加速度传感器动态响应第58-64页
    2.5 本章小结第64-66页
第3章 基于nc-Si:H TFTs的加速度传感器仿真研究、芯片设计、制作及封装第66-81页
    3.1 nc-Si:H TFT仿真研究第66-71页
    3.2 加速度传感器仿真模型及其特性研究第71-75页
        3.2.1 有限元仿真模型第71页
        3.2.2 静态特性分析第71-74页
        3.2.3 模态分析第74-75页
        3.2.4 谐响应特性分析第75页
    3.3 基于nc-Si:H TFTs的加速度传感器芯片设计第75-76页
    3.4 基于nc-Si:H TFTs的加速度传感器制作工艺第76-78页
    3.5 基于nc-Si:H TFTs的加速度传感器芯片封装第78-79页
    3.6 本章小结第79-81页
第4章 加速度传感器输出信号的存储电路第81-90页
    4.1 加速度传感器模数转换第81-82页
    4.2 基于PVK材料存储特性研究第82-85页
        4.2.1 基于PVK材料 1T-1R—位存储单元电路制作第82-83页
        4.2.2 SEM表征第83-84页
        4.2.3 电阻开关ITO/PVK/Al特性测试第84-85页
    4.3 基于PVK材料一位存储单元研究第85-89页
    4.4 本章小结第89-90页
第5章 基于nc-Si:H TFTs的加速度传感器特性研究第90-109页
    5.1 纳米硅薄膜表征第90-93页
        5.1.1 XRD测试第91页
        5.1.2 Raman光谱第91-93页
        5.1.3 AFM形貌表征第93页
        5.1.4 SEM表征第93页
    5.2 nc-Si:H TFTs的I_(DS)-V_(DS)特性测试第93-95页
    5.3 基于nc-Si:H TFTs的加速度传感器频率特性测试第95-104页
        5.3.1 悬臂梁厚度对频率特性影响第96-98页
        5.3.2 悬臂梁质量块对频率特性影响第98-101页
        5.3.3 输入激励波形对频率特性影响第101-104页
    5.4 基于nc-Si:H TFTs的加速度传感器灵敏度第104-107页
        5.4.1 放大电路设计第104-106页
        5.4.2 灵敏度测试结果第106-107页
    5.5 本章小结第107-109页
结论第109-111页
参考文献第111-123页
致谢第123-124页
攻读博士学位期间发表学术论文第124-125页
攻读博士学位期间科研项目第125页
申请发明专利第125-126页

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