中文摘要 | 第5-8页 |
Abstract | 第8-11页 |
第1章 绪论 | 第18-47页 |
1.1 加速度传感器国内外研究现状 | 第18-40页 |
1.1.1 扩散硅压阻式加速度传感器 | 第18-31页 |
1.1.2 电容式加速度传感器 | 第31-40页 |
1.2 有机存储器 | 第40-44页 |
1.2.1 有机存储器发展概述 | 第40-41页 |
1.2.2 有机电阻开关材料、结构以及特性 | 第41-44页 |
1.3 基于nc-Si:H TFTs的加速度传感器研究目的和研究意义 | 第44-45页 |
1.3.1 研究目的 | 第44-45页 |
1.3.2 研究意义 | 第45页 |
1.4 论文主要研究内容 | 第45-47页 |
第2章 基于nc-Si:H TFTs的加速度传感器基本结构与工作原理 | 第47-66页 |
2.1 基于nc-Si:H TFTs的加速度传感器结构 | 第47-49页 |
2.1.1 nc-Si:H TFT的结构与I_(DS)-V_(DS)特性 | 第47-48页 |
2.1.2 基于nc-Si:H TFTs的加速度传感器结构 | 第48-49页 |
2.2 基于nc-Si:H TFT的理论分析 | 第49-52页 |
2.2.1 外加压力P=0 时I-V特性分析 | 第49-51页 |
2.2.2 外加压力P≠0 时I-V特性分析 | 第51-52页 |
2.3 基于nc-Si:H TFTs的加速度传感器工作原理 | 第52-58页 |
2.3.1 梁的力学分析 | 第52-55页 |
2.3.2 压阻效应 | 第55-56页 |
2.3.3 基于nc-Si:H TFTs的加速度传感器电桥结构及其输出 | 第56-58页 |
2.4 加速度传感器动态响应 | 第58-64页 |
2.5 本章小结 | 第64-66页 |
第3章 基于nc-Si:H TFTs的加速度传感器仿真研究、芯片设计、制作及封装 | 第66-81页 |
3.1 nc-Si:H TFT仿真研究 | 第66-71页 |
3.2 加速度传感器仿真模型及其特性研究 | 第71-75页 |
3.2.1 有限元仿真模型 | 第71页 |
3.2.2 静态特性分析 | 第71-74页 |
3.2.3 模态分析 | 第74-75页 |
3.2.4 谐响应特性分析 | 第75页 |
3.3 基于nc-Si:H TFTs的加速度传感器芯片设计 | 第75-76页 |
3.4 基于nc-Si:H TFTs的加速度传感器制作工艺 | 第76-78页 |
3.5 基于nc-Si:H TFTs的加速度传感器芯片封装 | 第78-79页 |
3.6 本章小结 | 第79-81页 |
第4章 加速度传感器输出信号的存储电路 | 第81-90页 |
4.1 加速度传感器模数转换 | 第81-82页 |
4.2 基于PVK材料存储特性研究 | 第82-85页 |
4.2.1 基于PVK材料 1T-1R—位存储单元电路制作 | 第82-83页 |
4.2.2 SEM表征 | 第83-84页 |
4.2.3 电阻开关ITO/PVK/Al特性测试 | 第84-85页 |
4.3 基于PVK材料一位存储单元研究 | 第85-89页 |
4.4 本章小结 | 第89-90页 |
第5章 基于nc-Si:H TFTs的加速度传感器特性研究 | 第90-109页 |
5.1 纳米硅薄膜表征 | 第90-93页 |
5.1.1 XRD测试 | 第91页 |
5.1.2 Raman光谱 | 第91-93页 |
5.1.3 AFM形貌表征 | 第93页 |
5.1.4 SEM表征 | 第93页 |
5.2 nc-Si:H TFTs的I_(DS)-V_(DS)特性测试 | 第93-95页 |
5.3 基于nc-Si:H TFTs的加速度传感器频率特性测试 | 第95-104页 |
5.3.1 悬臂梁厚度对频率特性影响 | 第96-98页 |
5.3.2 悬臂梁质量块对频率特性影响 | 第98-101页 |
5.3.3 输入激励波形对频率特性影响 | 第101-104页 |
5.4 基于nc-Si:H TFTs的加速度传感器灵敏度 | 第104-107页 |
5.4.1 放大电路设计 | 第104-106页 |
5.4.2 灵敏度测试结果 | 第106-107页 |
5.5 本章小结 | 第107-109页 |
结论 | 第109-111页 |
参考文献 | 第111-123页 |
致谢 | 第123-124页 |
攻读博士学位期间发表学术论文 | 第124-125页 |
攻读博士学位期间科研项目 | 第125页 |
申请发明专利 | 第125-126页 |