本论文创新点 | 第5-6页 |
目录 | 第6-8页 |
摘要 | 第8-9页 |
ABSTRACT | 第9页 |
第一章 绪论 | 第11-36页 |
1.1 引言 | 第11-12页 |
1.2 离子注入技术简介 | 第12页 |
1.3 核聚变 | 第12-15页 |
1.3.1 核聚变原理及其装置介绍 | 第12-15页 |
1.3.2 核聚变反应堆结构的候选材料 | 第15页 |
1.4 ITER计划 | 第15-16页 |
1.5 离子辐照和中子辐照 | 第16-18页 |
1.6 多束离子同时辐照装置的意义与介绍 | 第18-33页 |
1.7 国际上已经建成的多束离子辐照装置及其应用领域 | 第33-36页 |
第二章 武汉大学三束离子辐照装置的初步建立 | 第36-75页 |
2.1 总体布局与光路设计 | 第36-40页 |
2.2 串列加速器离子辐照束线的建立 | 第40-46页 |
2.2.1 离子源 | 第40-44页 |
2.2.2 高压系统 | 第44-45页 |
2.2.3 高能离子辐照束线的建立 | 第45-46页 |
2.3 离子注入机的改进 | 第46-62页 |
2.3.1 离子源 | 第47-52页 |
2.3.2 初级聚焦极 | 第52-53页 |
2.3.3 质量分析器 | 第53-57页 |
2.3.4 高压加速系统 | 第57-58页 |
2.3.5 四极透镜聚焦系统 | 第58-60页 |
2.3.6 束流扫描系统 | 第60-62页 |
2.4 低能气体离子源的改进 | 第62-65页 |
2.5 多束注入靶室样品加热装置的设计 | 第65-68页 |
2.6 多束辐照装置联机过程 | 第68-72页 |
2.6.1 多束注入靶室的建立和真空的获得 | 第68-72页 |
2.6.2 离子注入机的束流偏转 | 第72页 |
2.7 联机调试 | 第72-74页 |
2.8 本章总结 | 第74-75页 |
第三章 硅基稀磁半导体的制备、结构和磁性研究 | 第75-95页 |
3.1 稀磁半导体的研究进展与其磁性起源问题 | 第75-76页 |
3.2 磁控溅射方法制备Si/Mn磁性薄膜的结构和磁性研究 | 第76-82页 |
3.3 高温退火条件对Si_(1-x)Mn_x薄膜的磁性影响 | 第82-88页 |
3.4 离子注入制备Si/Mn稀磁半导体的研究 | 第88-95页 |
第四章 全文总结 | 第95-96页 |
参考文献 | 第96-103页 |
Abbreviations | 第103-104页 |
攻博期间发表的科研成果目录 | 第104-105页 |
致谢 | 第105页 |