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多束离子辐照装置的初步建立与硅基稀磁半导体的磁性研究

本论文创新点第5-6页
目录第6-8页
摘要第8-9页
ABSTRACT第9页
第一章 绪论第11-36页
    1.1 引言第11-12页
    1.2 离子注入技术简介第12页
    1.3 核聚变第12-15页
        1.3.1 核聚变原理及其装置介绍第12-15页
        1.3.2 核聚变反应堆结构的候选材料第15页
    1.4 ITER计划第15-16页
    1.5 离子辐照和中子辐照第16-18页
    1.6 多束离子同时辐照装置的意义与介绍第18-33页
    1.7 国际上已经建成的多束离子辐照装置及其应用领域第33-36页
第二章 武汉大学三束离子辐照装置的初步建立第36-75页
    2.1 总体布局与光路设计第36-40页
    2.2 串列加速器离子辐照束线的建立第40-46页
        2.2.1 离子源第40-44页
        2.2.2 高压系统第44-45页
        2.2.3 高能离子辐照束线的建立第45-46页
    2.3 离子注入机的改进第46-62页
        2.3.1 离子源第47-52页
        2.3.2 初级聚焦极第52-53页
        2.3.3 质量分析器第53-57页
        2.3.4 高压加速系统第57-58页
        2.3.5 四极透镜聚焦系统第58-60页
        2.3.6 束流扫描系统第60-62页
    2.4 低能气体离子源的改进第62-65页
    2.5 多束注入靶室样品加热装置的设计第65-68页
    2.6 多束辐照装置联机过程第68-72页
        2.6.1 多束注入靶室的建立和真空的获得第68-72页
        2.6.2 离子注入机的束流偏转第72页
    2.7 联机调试第72-74页
    2.8 本章总结第74-75页
第三章 硅基稀磁半导体的制备、结构和磁性研究第75-95页
    3.1 稀磁半导体的研究进展与其磁性起源问题第75-76页
    3.2 磁控溅射方法制备Si/Mn磁性薄膜的结构和磁性研究第76-82页
    3.3 高温退火条件对Si_(1-x)Mn_x薄膜的磁性影响第82-88页
    3.4 离子注入制备Si/Mn稀磁半导体的研究第88-95页
第四章 全文总结第95-96页
参考文献第96-103页
Abbreviations第103-104页
攻博期间发表的科研成果目录第104-105页
致谢第105页

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