| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 非挥发性存储器简介 | 第9-10页 |
| 1.2 新型非挥发性存储器发展概述 | 第10-15页 |
| 1.2.1 铁电存储器（FRAM） | 第11-12页 |
| 1.2.2 磁阻存储器（MRAM） | 第12-13页 |
| 1.2.3 相变存储器（PRAM） | 第13页 |
| 1.2.4 阻变存储器（RRAM） | 第13-14页 |
| 1.2.5 阻变存储器国内外研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3 研究意义与内容 | 第15-17页 |
| 第2章 阻变存储器概述 | 第17-27页 |
| 2.1 RRAM工作原理 | 第17-18页 |
| 2.2 RRAM电学参数 | 第18-20页 |
| 2.3 RRAM阻变层材料 | 第20-23页 |
| 2.3.1 有机材料 | 第20-21页 |
| 2.3.2 固态电解液材料 | 第21-22页 |
| 2.3.3 二元金属氧化物材料 | 第22页 |
| 2.3.4 三元钙钛矿材料 | 第22页 |
| 2.3.5 复杂氧化物材料 | 第22-23页 |
| 2.4 阻变存储器的集成 | 第23-25页 |
| 2.4.1 1R单元结构 | 第23-24页 |
| 2.4.2 1D1R单元结构 | 第24-25页 |
| 2.4.3 1T1R单元结构 | 第25页 |
| 2.5 本章小节 | 第25-27页 |
| 第3章 Al/TiO_2/ITO阻变存储器制备与研究 | 第27-41页 |
| 3.1 薄膜的制备与表征 | 第27-30页 |
| 3.1.1 TiO_2薄膜XRD分析 | 第28页 |
| 3.1.2 TiO_2薄膜AFM分析 | 第28-30页 |
| 3.2 Al/Ti O_2/ITO器件制备与分析 | 第30-38页 |
| 3.2.1 不同功率下薄膜器件的特性 | 第31-35页 |
| 3.2.2 不同厚度薄膜对器件开启电压的影响 | 第35-37页 |
| 3.2.3 扫描速率对器件开启电压的影响 | 第37-38页 |
| 3.3 Al/Ti O_2/ITO阻变特性与机理分析 | 第38-40页 |
| 3.4 本章小节 | 第40-41页 |
| 第4章 Al、Cu/TiO_2/Pt结构阻变存储器制备与研究 | 第41-54页 |
| 4.1 RRAM阻变机制 | 第41-42页 |
| 4.2 Al/Ti O_2/Pt器件基本结构 | 第42页 |
| 4.3 Al/Ti O_2/Pt器件特性分析 | 第42-46页 |
| 4.3.1 Al/TiO_2/Pt器件测试 | 第42-44页 |
| 4.3.2 Al/TiO_2/Pt器件阻变机理 | 第44-45页 |
| 4.3.3 Al/TiO_2/Pt器件耐受性测试 | 第45-46页 |
| 4.4 Cu/TiO_2/Pt器件基本结构 | 第46-47页 |
| 4.5 Cu/TiO_2/Pt器件特性分析 | 第47-53页 |
| 4.5.1 Cu/TiO_2/Pt器件测试 | 第47-48页 |
| 4.5.2Cu/TiO_2/Pt器件阻变机理分析 | 第48-51页 |
| 4.5.3 Cu/TiO_2/Pt器件开启过程与关闭过程 | 第51-53页 |
| 4.5.4 Cu/TiO_2/Pt器件耐受性测试 | 第53页 |
| 4.6 本章小结 | 第53-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
