| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·概述 | 第11页 |
| ·ZnS 的微观结构 | 第11-13页 |
| ·ZnS 的晶体结构 | 第11-12页 |
| ·ZnS 的基本物理参数 | 第12-13页 |
| ·ZnS 的生长习性 | 第13页 |
| ·ZnS 薄膜的制备方法 | 第13-16页 |
| ·化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition, CVD） | 第13-14页 |
| ·脉冲激光沉积（Pulsed Laser Deposition, PLD） | 第14页 |
| ·磁控溅射（Magnetron Sputtering） | 第14-15页 |
| ·化学水浴沉积（Chemical Bath Deposition, CBD） | 第15页 |
| ·分子束外延（Molecular Beam Epitaxy, MBE） | 第15-16页 |
| ·电子束蒸发（E-Beam Evaporation, EBE） | 第16页 |
| ·ZnS 薄膜的优异特性及应用 | 第16-18页 |
| ·电致发光（场致发光） | 第16页 |
| ·光催化性能 | 第16-17页 |
| ·光伏特性 | 第17页 |
| ·红外特性 | 第17-18页 |
| ·气敏特性 | 第18页 |
| ·ZnS 薄膜的掺杂改性 | 第18-19页 |
| ·溶胶-凝胶法（Sol-Gel） | 第18-19页 |
| ·共沉淀法 | 第19页 |
| ·溅射法 | 第19页 |
| ·离子注入 | 第19页 |
| ·本文的研究内容及意义 | 第19-21页 |
| 第二章 薄膜制备与表征方式 | 第21-33页 |
| ·薄膜的气相沉积原理 | 第21页 |
| ·真空蒸发镀膜技术 | 第21-23页 |
| ·真空蒸发镀膜的工艺流程 | 第23-26页 |
| ·基片的清洗 | 第23-25页 |
| ·化学清洗 | 第23页 |
| ·超声波清洗 | 第23-24页 |
| ·等离子体清洗 | 第24页 |
| ·真空烘烤 | 第24-25页 |
| ·沉积参数的设定和真空度 | 第25页 |
| ·膜厚监控 | 第25-26页 |
| ·薄膜性能的测试与表征 | 第26-33页 |
| ·扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscope, SEM） | 第26-27页 |
| ·X 射线衍射（X-Ray Diffraction, XRD） | 第27-28页 |
| ·原子力显微镜（Atomic Force Microscope, AFM） | 第28-30页 |
| ·透射吸收光谱 | 第30页 |
| ·光致发光谱（PL） | 第30-31页 |
| ·四探针测量电阻法 | 第31-33页 |
| 第三章 真空蒸发制备ZnS 薄膜及掺杂对性能的影响 | 第33-43页 |
| ·ZnS 薄膜的制备和性能研究 | 第33-37页 |
| ·真空蒸发制备ZnS 薄膜 | 第33页 |
| ·ZnS 薄膜的性能分析 | 第33-37页 |
| ·掺杂对ZnS（玻璃衬底）薄膜的性能影响 | 第37-42页 |
| ·ZnS:Li 和ZnS:Na 薄膜的制备 | 第38页 |
| ·ZnS:Li 和ZnS:Na 薄膜的光学性能的研究 | 第38-42页 |
| ·ZnS 薄膜的电学性能 | 第42-43页 |
| 第四章 退火对真空蒸发制备ZnS 薄膜性质的影响 | 第43-53页 |
| ·退火对ZnS/石英玻璃薄膜性能的影响 | 第43-47页 |
| ·结构分析 | 第43-45页 |
| ·退火对ZnS/石英玻璃薄膜光学性质的影响 | 第45-47页 |
| ·退火对ZnS:Na 和ZnS:Li 薄膜的影响 | 第47-52页 |
| ·退火对ZnS:Na 薄膜光学性质的影响 | 第48-49页 |
| ·退火对ZnS:Li 薄膜光学性质的影响 | 第49-51页 |
| ·退火ZnS:Na 和ZnS:Li 薄膜性能的比较 | 第51-52页 |
| ·电学测试 | 第52-53页 |
| 第五章 结论与展望 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第61-62页 |
