| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 1. 绪论 | 第15-24页 |
| 1.1 非易失性存储器简介 | 第16-19页 |
| 1.1.1 从ROM 到EPROM | 第16-17页 |
| 1.1.2 从EPROM 到EEPROM | 第17-18页 |
| 1.1.3 MNOS 组件简介 | 第18-19页 |
| 1.2 SONOS 存储器件简介 | 第19-23页 |
| 1.2.1 SONOS 存储器件的主要特点 | 第20页 |
| 1.2.2 SONOS 存储器件的写入操作 | 第20-21页 |
| 1.2.3 SONOS 存储器件的擦除操作 | 第21-22页 |
| 1.2.4 SONOS 存储器件的读出操作 | 第22-23页 |
| 1.3 本文的主要工作内容 | 第23-24页 |
| 2. SONOS 存储器件的电荷传输机理 | 第24-33页 |
| 2.1 器件的电荷传输机理 | 第24-26页 |
| 2.1.1 F-N 电子隧穿 | 第24-25页 |
| 2.1.2 漏极端热电子注入 | 第25-26页 |
| 2.2 常见的漏电机制 | 第26-33页 |
| 2.2.1 Schottky 发射现象 | 第27页 |
| 2.2.2 Poole-Frenkel (P-F)效应 | 第27-28页 |
| 2.2.3 Fowler-Nordeim(F-N)隧穿效应 | 第28-33页 |
| 3. SONOS 存储器件可靠性分析 | 第33-45页 |
| 3.1 Data retention 简介 | 第33-34页 |
| 3.2 Endurance 简介 | 第34-35页 |
| 3.3 影响SONOS 可靠性的参数分析 | 第35-37页 |
| 3.4 SONOS 电容器之特性分析 | 第37-40页 |
| 3.5 隧穿氧化层厚度对SONOS 可靠性的实验分析 | 第40-43页 |
| 3.6 实验的总结与分析 | 第43-44页 |
| 3.6.1 上述SONOS 实验的总结 | 第43页 |
| 3.6.2 影响SONOS 器件可靠性的分析 | 第43-44页 |
| 3.7 实验方法与设计方案 | 第44页 |
| 3.7.1 实验方法与设计方案 | 第44页 |
| 3.7.2 实验方案 | 第44页 |
| 3.8 本章小结 | 第44-45页 |
| 4. 0.35μm SONOS 工艺流程简介 | 第45-50页 |
| 4.1 SONOS 器件的简单工艺流程 | 第45-48页 |
| 4.2 SONOS 器件的制程方法 | 第48-49页 |
| 4.2.1 SONOS 形成的一般制程方法 | 第48-49页 |
| 4.2.2 SONOS 形成的特殊制程方法 | 第49页 |
| 4.3 本章小结 | 第49-50页 |
| 5. 优化ONO 叠层结构的厚度改善存储器件的可靠性 | 第50-56页 |
| 5.1 栅氧化层的前清洗影响高温氧化层的厚度 | 第50-51页 |
| 5.2 通过缩小ONO 中叠层厚度改善Retention 和可靠性 | 第51-54页 |
| 5.3 本章小结 | 第54-56页 |
| 6. 优化ONO 结构的组成材料改善存储器件的可靠性 | 第56-65页 |
| 6.1 在ONO 生长中引入ND3 来改善Endurance 和 Data Retention | 第56-58页 |
| 6.2 用N20 来改善Endurance | 第58-62页 |
| 6.3 Oxy- nitride grading 改善Endurance 和 Data Retention | 第62-64页 |
| 6.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 7. 结论与展望 | 第65-67页 |
| 7.1 本文主要研究内容及结论 | 第65页 |
| 7.2 SONOS 技术未来展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第71页 |
