| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-12页 |
| 1.1 激光与超快光技术 | 第10页 |
| 1.2 探究半导体中载流子超快动力学过程的意义 | 第10-12页 |
| 第二章 极短光脉冲与实验方法描述 | 第12-20页 |
| 2.1 超短时间间隔度量的历史进程 | 第12-13页 |
| 2.2 超短脉冲激光 | 第13-14页 |
| 2.3 飞秒激光脉冲宽度的度量 | 第14-16页 |
| 2.4 泵浦-探测超快反射谱测量装置 | 第16-17页 |
| 2.5 泵浦-探测超快吸收谱测量装置 | 第17-18页 |
| 2.6 超快光电流测定装置 | 第18-20页 |
| 第三章 激光与半导体相互作用理论 | 第20-27页 |
| 3.1 半导体样品对光的吸收 | 第20-24页 |
| 3.1.1 导体、半导体、绝缘体的能带分布 | 第21-22页 |
| 3.1.2 半导体对激光的吸收 | 第22-24页 |
| 3.2 半导体中的超快过程 | 第24-27页 |
| 第四章 半导体（Ge、Si、GaAs）内部超快动力学模拟与实验 | 第27-49页 |
| 4.1 非平衡载流子的产生 | 第27-28页 |
| 4.1.1 平衡载流子 | 第27页 |
| 4.1.2 非平衡载流子 | 第27-28页 |
| 4.2 理论模型 | 第28-30页 |
| 4.3 数值模拟算法 | 第30-31页 |
| 4.4 半导体锗载流子动力学的计算模拟图 | 第31-35页 |
| 4.5 半导体硅载流子动力学的计算模拟图 | 第35-37页 |
| 4.6 半导体砷化镓载流子动力学的计算模拟图 | 第37-39页 |
| 4.7 半导体数值模拟结果分析（以 Ge 为例） | 第39-44页 |
| 4.8 半导体锗反射率随着激光能量变化 | 第44-45页 |
| 4.9 双脉冲作用下半导体硅的发射光谱 | 第45-49页 |
| 4.9.1 实验步骤 | 第46页 |
| 4.9.2 实验结果分析 | 第46-49页 |
| 第五章 结论与展望 | 第49-51页 |
| 5.1 总结 | 第49-50页 |
| 5.2 展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 攻读硕士期间的科研成果 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |