摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-21页 |
1.1 分子电子学的产生背景 | 第10-11页 |
1.2 分子器件的研究进展 | 第11-18页 |
1.2.1 分子器件的实验研究 | 第12-15页 |
1.2.2 分子器件的特性 | 第15-17页 |
1.2.3 分子器件的理论研究 | 第17-18页 |
1.3 本论文的研究目的及意义 | 第18-19页 |
1.4 本论文的主要研究内容 | 第19-21页 |
第二章 分子器件电子输运的理论基础 | 第21-41页 |
2.1 Born-Oppenheimer 近似 | 第21-22页 |
2.2 Hartree-Fock 近似 | 第22-23页 |
2.3 密度泛函理论 | 第23-29页 |
2.3.1 Thomas-Fermi 模型 | 第24-25页 |
2.3.2 Hohenberg-Kohn 定理 | 第25页 |
2.3.3 Kohn-Sham 方程 | 第25-27页 |
2.3.4 交换关联泛函 | 第27-29页 |
2.4 格林函数方法 | 第29-33页 |
2.4.1 平衡格林函数 | 第29-30页 |
2.4.2 非平衡格林函数 | 第30-33页 |
2.5 分子器件电子输运性质的计算 | 第33-40页 |
2.5.1 Landauer-Büttiker 公式 | 第34页 |
2.5.2 分子导体中的电流公式 | 第34-36页 |
2.5.3 电极-分子-电极体系的计算方案 | 第36-40页 |
2.6 相关计算软件简介 | 第40-41页 |
第三章 取代基团和杂原子对噻吩二聚体电子输运性质的影响 | 第41-65页 |
3.1 引言 | 第41-42页 |
3.2 计算细节 | 第42-47页 |
3.3 结果与讨论 | 第47-63页 |
3.3.1 基团取代噻吩二聚体分子的电子结构 | 第47-49页 |
3.3.2 基团取代噻吩二聚体分子结电子输运特征 | 第49-59页 |
3.3.3 原子掺杂对噻吩二聚体电子输运性质的影响 | 第59-63页 |
3.4 本章小结 | 第63-65页 |
第四章 不对称电极-分子接触和取代基对 BETE 分子结整流效果的影响 | 第65-81页 |
4.1 引言 | 第65-66页 |
4.2 计算模型和方法 | 第66-69页 |
4.3 结果与讨论 | 第69-80页 |
4.3.1 电流电压特征与整流 | 第69-73页 |
4.3.2 透射谱 | 第73-75页 |
4.3.3 分子投影自洽哈密顿量 | 第75-78页 |
4.3.4 分子的轨道能级 | 第78-80页 |
4.4 本章小结 | 第80-81页 |
第五章 电极和 N 原子位置对 C59N 分子结电子输运性质的影响 | 第81-98页 |
5.1 引言 | 第81-82页 |
5.2 电极对 C59N 分子结电子输运性质的影响 | 第82-93页 |
5.2.1 计算模型和计算方法 | 第82-85页 |
5.2.2 结果与讨论 | 第85-93页 |
5.3 N 原子位置对 C59N 分子结电子输运性质的影响 | 第93-97页 |
5.3.1 分子结模型 | 第93页 |
5.3.2 结果与讨论 | 第93-97页 |
5.4 本章小结 | 第97-98页 |
第六章 双分子结电子输运性质的理论研究 | 第98-118页 |
6.1 引言 | 第98-100页 |
6.2 单端吸附碳链双分子结的电子输运性质 | 第100-109页 |
6.2.1 计算模型与方法 | 第100-101页 |
6.2.2 结果与讨论 | 第101-109页 |
6.3 聚乙炔与稠合吡咯三聚体双分子结的电子输运性质 | 第109-116页 |
6.3.1 计算模型和方法 | 第109-110页 |
6.3.2 结果与讨论 | 第110-116页 |
6.4 本章小结 | 第116-118页 |
第七章 总结与展望 | 第118-120页 |
参考文献 | 第120-130页 |
附录1 攻读博士学位期间撰写的论文 | 第130-131页 |
附录2 攻读博士学位期间参加的科研项目 | 第131-132页 |
致谢 | 第132页 |