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掺杂氧化钨、金—金刚石电极及氧化钨/金刚石异质结的制备与电学特性研究

摘要第4-7页
Abstract第7-10页
第1章 绪论第14-40页
    1.1 引言第14-15页
    1.2 WO_3的基本性质及应用第15-21页
        1.2.1 WO_3的结构和性质第15-16页
        1.2.2 WO_3的制备第16-17页
        1.2.3 WO_3的应用及研究进展第17-21页
    1.3 金刚石的基本性质及应用第21-27页
        1.3.1 金刚石的结构和性质第21-22页
        1.3.2 金刚石的制备方法第22-24页
        1.3.3 硼掺杂金刚石(BDD)的应用第24-27页
    1.4 WO_3和金刚石复合结构的研究进展第27-28页
    1.5 本文的选题背景和研究内容第28-30页
    参考文献第30-40页
第2章 合成制备与表征、测试设备第40-50页
    2.1 脉冲激光沉积设备(PLD)第40-42页
    2.2 热丝化学气相沉积(HF-CVD)装置第42-43页
    2.3 水热反应釜第43页
    2.4 主要表征设备第43-47页
        2.4.1 X-射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)第43-44页
        2.4.2 X-射线光电子能谱仪(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)312.4.3 扫描电子显微镜(Scanning electron microscope,SEM)第44页
        2.4.3 扫描电子显微镜(Scanning electron microscope,SEM)第44页
        2.4.4 透射电子显微镜(Transmission electron microscope,TEM)第44页
        2.4.5 原子力显微镜(Atomic force microscope,AFM)第44-45页
        2.4.6 紫外-可见分光光度计(Ultraviolet–visible spectroscopy,UV-Vis)第45页
        2.4.7 拉曼光谱(Raman spectroscopy)第45-46页
        2.4.8 高功率数字源表第46-47页
    参考文献第47-50页
第3章 TiO_2掺杂氧化钨膜的制备及电致变色性能的研究第50-72页
    3.1 引言第50-51页
    3.2 实验部分第51-53页
        3.2.1 脉冲激光沉积靶材的制备第51页
        3.2.2 Ti O2掺杂氧化钨膜的制备第51-52页
        3.2.3 电致变色测试第52-53页
    3.3 实验结果与分析第53-65页
        3.3.1 WO_3膜的AFM、SEM和EDX表征第53-57页
        3.3.2 WO_3膜的电致变色过程第57-60页
        3.3.3 WO_3膜电致变色的原理分析第60-63页
        3.3.4 WO_3膜电致变色的效果分析第63-65页
    3.4 本章小结第65-67页
    参考文献第67-72页
第4章 Au-金刚石电极的制备及电化学性能的研究第72-88页
    4.1 引言第72-73页
    4.2 实验过程第73-75页
        4.2.1 实验试剂第73页
        4.2.2 CVD硼掺杂金刚石膜的制备第73-74页
        4.2.3 BDD膜表面修饰第74-75页
        4.2.4 电化学生物传感器测试第75页
    4.3 实验结果与分析第75-83页
        4.3.1 金纳米颗粒修饰BDD薄膜结构分析第75-81页
        4.3.2 金纳米颗粒修饰的BDD薄膜电化学性能分析第81-83页
    4.4 本章小结第83-84页
    参考文献第84-88页
第5章n-WO_3 NRs/p-diamond异质结制备及高温电学性质第88-110页
    5.1 引言第88页
    5.2 实验过程第88-91页
        5.2.1 CVD硼掺杂金刚石膜的制备第88-89页
        5.2.2 WO_3籽晶层的制备第89页
        5.2.3 水热法制备WO_3纳米棒第89-90页
        5.2.4 n-WO_3 NRs/p-diamond异质结器件的制备第90-91页
        5.2.5 高温下异质结电流-电压(I-V)测试第91页
    5.3 实验结果与分析第91-105页
        5.3.1 硼掺杂金刚石膜形貌分析第91-92页
        5.3.2 BDD膜上生长WO_3纳米棒的过程(SEM和Mapping元素分析)第92-95页
        5.3.3 n-WO_3纳米棒TEM、EDX和XPS分析第95-98页
        5.3.4 n-WO_3 NRs/p-diamond异质结的XRD分析第98-99页
        5.3.5 n-WO_3 NRs/p-diamond异质结高温下的电学性质第99-100页
        5.3.6 n-WO_3 NRs/p-diamond异质结高温电学参数计算与分析第100-105页
    5.4 本章小结第105-106页
    参考文献第106-110页
第6章 结论第110-112页
发表文章情况第112-113页
作者简历第113-114页
致谢第114页

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