| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 SiC材料的特点 | 第8-9页 |
| 1.2 SiC MOSFET优势与应用 | 第9-11页 |
| 1.3 SiC MOSFET器件设计与可靠性研究现状 | 第11-16页 |
| 1.3.1 SiC MOSFET器件设计研究现状 | 第11-14页 |
| 1.3.2 SiC MOSFET可靠性研究现状 | 第14-16页 |
| 1.4 研究内容与设计指标 | 第16-18页 |
| 1.4.1 研究内容 | 第16页 |
| 1.4.2 设计指标 | 第16-17页 |
| 1.4.3 本文的主要工作 | 第17-18页 |
| 第二章 SiC MOSFET基本工作原理 | 第18-30页 |
| 2.1 导通态特性 | 第18-21页 |
| 2.1.1 导通电阻 | 第18-20页 |
| 2.1.2 阈值电压 | 第20-21页 |
| 2.2 截止态特性 | 第21-22页 |
| 2.3 电容特性 | 第22-25页 |
| 2.3.1 输入电容 | 第23页 |
| 2.3.2 反向转移电容 | 第23-24页 |
| 2.3.3 输出电容 | 第24-25页 |
| 2.4 开关特性 | 第25-29页 |
| 2.4.1 开启瞬态 | 第25-27页 |
| 2.4.2 关断瞬态 | 第27-29页 |
| 2.4.3 开关损耗 | 第29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 1.2kV SiC MOSFET优化设计 | 第30-46页 |
| 3.1 元胞结构优化设计 | 第30-37页 |
| 3.1.1 N型漂移区优化设计 | 第30-32页 |
| 3.1.2 P型阻挡层与P型基区优化设计 | 第32-33页 |
| 3.1.3 JFET区与沟道区优化设计 | 第33-35页 |
| 3.1.4 整体元胞结构 | 第35-37页 |
| 3.2 栅极PAD区优化设计 | 第37-38页 |
| 3.3 终端区优化设计 | 第38-42页 |
| 3.3.1 栅极场板优化设计 | 第39页 |
| 3.3.2 接地P+环优化设计 | 第39-41页 |
| 3.3.3 浮空场限环优化设计 | 第41-42页 |
| 3.4 1.2kV SiC MOSFET整体结构设计 | 第42-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 1.2kV SiC MOSFET可靠性研究 | 第46-56页 |
| 4.1 高温反偏应力下的可靠性研究 | 第46-47页 |
| 4.2 高温栅偏应力下的可靠性研究 | 第47-48页 |
| 4.3 非钳位重复应力下的可靠性研究 | 第48-54页 |
| 4.3.1 非钳位重复应力测试原理 | 第48-49页 |
| 4.3.2 电荷泵测试的原理及方法 | 第49-50页 |
| 4.3.3 非钳位重复应力测试结果与分析 | 第50-53页 |
| 4.3.4 非钳位重复应力器件退化改善方案 | 第53-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 总结及展望 | 第56-58页 |
| 5.1 总结 | 第56页 |
| 5.2 展望 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 作者简介 | 第64页 |
