| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 主要符号说明 | 第13-14页 |
| 1 绪论 | 第14-21页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第14-16页 |
| 1.2 国内外研究进展 | 第16-19页 |
| 1.2.1 电子器件发展概况 | 第16-18页 |
| 1.2.2 高热流密度微/纳尺度电子器件特征 | 第18页 |
| 1.2.3 微/纳尺度电子器件数值模拟方法发展概况 | 第18-19页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第19-21页 |
| 1.3.1 高热流密度微/纳尺度电子器件热电模型建立 | 第19-20页 |
| 1.3.2 双指器件热电特性的模拟 | 第20页 |
| 1.3.3 器件温度影响因素分析 | 第20-21页 |
| 2 微/纳尺度电子器件产热机理 | 第21-26页 |
| 2.1 器件中电子的运动 | 第21-23页 |
| 2.2 器件中声子的运动 | 第23-24页 |
| 2.3 器件产热与传热过程 | 第24-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-26页 |
| 3 格子-Boltzmann方法微/纳尺度电子器件传热模型建立 | 第26-35页 |
| 3.1 格子-Boltzmann方法的发展 | 第26-27页 |
| 3.2 Boltzmann方程 | 第27-28页 |
| 3.3 格子-Boltzmann方法 | 第28-29页 |
| 3.4 格子-Boltzmann方法在微纳尺度晶体管中的应用 | 第29-34页 |
| 3.4.1 边界条件 | 第33页 |
| 3.4.2 模型验证 | 第33-34页 |
| 3.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 4. 基于格子-Boltzmann方法场效应晶体管模拟 | 第35-44页 |
| 4.1 FET的结构及工作特征 | 第35-37页 |
| 4.2 工作条件对FET热特性的影响 | 第37-40页 |
| 4.3 热管理方式对温度对热特性影响 | 第40-43页 |
| 4.3.1 改变上边界对流换热系数 | 第40-42页 |
| 4.3.2 改变下边界对流换热系数 | 第42-43页 |
| 4.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 5 非能量平衡微/纳尺度电子器件热电耦合模型的建立 | 第44-50页 |
| 5.1 电子方程 | 第44-46页 |
| 5.2 声子方程 | 第46-48页 |
| 5.3 边界条件 | 第48-49页 |
| 5.3.1 电学边界条件 | 第48-49页 |
| 5.3.2 热学边界条件 | 第49页 |
| 5.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 6 高电子迁移率场效应晶体管热电特性模拟 | 第50-65页 |
| 6.1 HEMT简介 | 第50页 |
| 6.2 单指HEMT与双指HEMT器件 | 第50-52页 |
| 6.3 单指与双指热电特性差异 | 第52-55页 |
| 6.4 不同工作条件对工作效率的影响 | 第55-56页 |
| 6.5 工作条件对热电特性的影响 | 第56-58页 |
| 6.6 掺杂浓度对热电特性的影响 | 第58-59页 |
| 6.7 散热条件对热电特性的影响 | 第59-62页 |
| 6.7.1 衬底温度对热电特性的影响 | 第59-61页 |
| 6.7.2 对流换热系数对特性的影响 | 第61-62页 |
| 6.8 模拟结果与实验结果对比验证 | 第62-64页 |
| 6.8.1 实验步骤 | 第62-63页 |
| 6.8.2 模拟结果对比验证 | 第63-64页 |
| 6.9 本章小结 | 第64-65页 |
| 7 总结与展望 | 第65-67页 |
| 7.1 总结 | 第65-66页 |
| 7.2 展望 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表的相关论文 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
