碘化铟多晶提纯及薄膜制备
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 室温半导体核辐射探测材料研究背景 | 第9-11页 |
| 1.2 室温半导体核辐射探测器的工作原理 | 第11-13页 |
| 1.3 碘化铟晶体的研究进展 | 第13-14页 |
| 1.4 课题研究的目的及意义 | 第14-15页 |
| 1.5 本文研究的主要内容 | 第15-17页 |
| 第2章 结晶学理论基础 | 第17-30页 |
| 2.1 碘化铟的基本性质 | 第17-19页 |
| 2.1.1 碘化铟的晶体结构 | 第17-18页 |
| 2.1.2 碘化铟的能带结构 | 第18-19页 |
| 2.1.3 碘化铟的基本材料性质 | 第19页 |
| 2.2 晶体缺陷 | 第19-23页 |
| 2.2.1 点缺陷 | 第19-21页 |
| 2.2.2 线缺陷(位错) | 第21-23页 |
| 2.2.3 面缺陷 | 第23页 |
| 2.3 薄膜生长理论概述 | 第23-29页 |
| 2.3.1 吸附 | 第24-25页 |
| 2.3.2 表面扩散 | 第25-26页 |
| 2.3.3 凝结 | 第26-27页 |
| 2.3.4 薄膜的形核和生长 | 第27-28页 |
| 2.3.5 连续薄膜的形成 | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 碘化铟多晶提纯 | 第30-43页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 碘化铟多晶合成 | 第30-34页 |
| 3.2.1 碘化铟多晶合成原理 | 第30-31页 |
| 3.2.2 气相生长法简介 | 第31-32页 |
| 3.2.3 碘化铟多晶的合成工艺 | 第32-34页 |
| 3.3 碘化铟多晶提纯 | 第34-38页 |
| 3.3.1 晶体提纯方法 | 第34-37页 |
| 3.3.2 碘化铟多晶提纯 | 第37-38页 |
| 3.4 碘化铟多晶的提纯效果表征 | 第38-42页 |
| 3.4.1 X射线粉末衍射分析 | 第39-40页 |
| 3.4.2 SEM-EDS分析 | 第40-41页 |
| 3.4.3 ICP-AES分析 | 第41-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 碘化铟多晶薄膜制备及表征 | 第43-54页 |
| 4.1 引言 | 第43页 |
| 4.2 多晶薄膜制备 | 第43-47页 |
| 4.2.1 薄膜的制备方法 | 第43-46页 |
| 4.2.2 碘化铟多晶薄膜制备 | 第46-47页 |
| 4.3 碘化铟多晶薄膜的性能表征 | 第47-53页 |
| 4.3.1 X射线粉末衍射分析 | 第48-50页 |
| 4.3.2 SEM分析 | 第50页 |
| 4.3.3 光学性质分析 | 第50-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 结论 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
