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拓扑绝缘体Bi2Te2Se纳米带的量子相干输运实验研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-9页
主要符号对照表第10-12页
主要缩写对照表第12-17页
第一章 绪论第17-85页
    1.1 拓扑序与拓扑元激发第17-36页
        1.1.1 量子霍尔态与TKNN拓扑不变量第18-21页
        1.1.2 量子自旋霍尔态与Z_2拓扑不变量第21-26页
        1.1.3 走向三维拓扑绝缘体第26-28页
        1.1.4 拓扑超导体与Majorana费米子第28-33页
        1.1.5 拓扑半金属第33-36页
    1.2 拓扑绝缘体材料第36-44页
        1.2.1 二维拓扑绝缘体第37-38页
        1.2.2 第一代三维拓扑绝缘体第38-39页
        1.2.3 第二代三维拓扑绝缘体第39-40页
        1.2.4 掺杂拓扑绝缘体第40-42页
        1.2.5 拓扑晶态绝缘体第42-43页
        1.2.6 拓扑近藤绝缘体第43-44页
    1.3 拓扑表面态的性质第44-56页
        1.3.1 螺旋性的表面态第44-46页
        1.3.2 狄拉克型的费米子第46-48页
        1.3.3 贝利相位为π第48-50页
        1.3.4 拓扑表面态的弱反局域化效应第50-52页
        1.3.5 拓扑表面态的AB振荡第52-56页
    1.4 拓扑奇异效应第56-68页
        1.4.1 有限尺寸效应第56-58页
        1.4.2 量子反常霍尔效应第58-63页
        1.4.3 超导电性和超导邻近效应第63-67页
        1.4.4 拓扑磁电效应第67-68页
    1.5 本文的主要内容第68-70页
    参考文献第70-85页
第二章 实验方法第85-97页
    2.1 单晶生长第85-86页
    2.2 拓扑绝缘体纳米带的机械剥离制备第86-88页
    2.3 场效应晶体管器件制备第88-89页
    2.4 输运测量技术第89-92页
    2.5 拓扑绝缘体Bi_2Te_3纳米带的AB和AAS振荡第92-95页
    参考文献第95-97页
第三章 拓扑表面态的普适电导涨落效应第97-117页
    3.1 普适电导涨落概述第97-100页
    3.2 拓扑绝缘体的UCF研究第100-102页
    3.3 Bi_2Te_2Se纳米带中UCF特征的识别第102-104页
    3.4 二维UCF的鉴定第104-108页
    3.5 拓扑表面态的UCF证据第108-112页
    3.6 相干性弛豫机制第112-114页
    3.7 本章小结第114页
    参考文献第114-117页
第四章 拓扑表面态之间的耦合效应第117-155页
    4.1 Bi_2Te_2Se纳米带的WAL现象第118-122页
    4.2 拓扑绝缘体的导电通道数指标——α第122-126页
    4.3 Bi_2Te_2Se纳米带中随厚度的表面态退耦第126-129页
    4.4 拓扑平庸2DEG存在的实验证据第129-131页
    4.5 门电压调控WAL第131-134页
    4.6 表面态耦合的物理机制第134-139页
        4.6.1 直接隧穿耦合第134-136页
        4.6.2 间接耦合(一):体-表面耦合第136-138页
        4.6.3 间接耦合(二):体载流子为媒介的表面态间耦合第138-139页
    4.7 几点说明第139-143页
    4.8 表面态耦合的磁场调控第143-149页
    4.9 本章小结第149-151页
    参考文献第151-155页
第五章 拓扑表面态的统计对称性第155-171页
    5.1 统计对称性与UCF第155-159页
    5.2 门电压引起的UCF第159-161页
    5.3 遍历对称的UCF第161-163页
    5.4 耦合拓扑表面态的统计对称性第163-168页
        5.4.1 实验现象第163-165页
        5.4.2 两个拓扑表面态共存的统计对称性第165-167页
        5.4.3 讨论第167-168页
    5.5 本章小结第168页
    参考文献第168-171页
第六章 结论与展望第171-179页
    6.1 结论与问题第171-174页
    6.2 现状与未来第174-177页
    参考文献第177-179页
攻读博士学位期间发表和待发表的学术论文第179-181页
致谢第181-182页

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