中文摘要 | 第1-7页 |
英文摘要 | 第7-17页 |
第一章 绪论 | 第17-50页 |
第一节 引言 | 第17-18页 |
第二节 质子性溶剂中的阴离子识别 | 第18-29页 |
·基于氢键作用的阴离子受体 | 第19-20页 |
·基于静电力的阴离子受体 | 第20页 |
·静电力和氢键协同作用的阴离子受体 | 第20-26页 |
·多胺类 | 第20-21页 |
·硫脲盐 | 第21-22页 |
·咪唑鎓盐 | 第22页 |
·胍盐 | 第22-24页 |
·吡咯酰基胍,吡啶酰基胍,呋喃酰基胍 | 第24-26页 |
·金属配合物 | 第26-27页 |
·金属路易斯酸 | 第27-28页 |
·疏水效应 | 第28-29页 |
第三节 光化学传感 | 第29-41页 |
·键合-信号单元途径 | 第29-37页 |
·荧光传感 | 第29-35页 |
·分子内电荷转移(ICT) | 第30-31页 |
·扭曲分子内电荷转移(TICT) | 第31-32页 |
·光诱导电子转移(PET) | 第32-33页 |
·激基复合物和激基缔合物(exciplex and excimer) | 第33-34页 |
·荧光共振能量转移(FRET) | 第34-35页 |
·比色传感器 | 第35-37页 |
·竞争取代途径(指示剂取代法,IDA) | 第37-38页 |
·化学计量途径 | 第38-41页 |
第四节 本论文的设计思想 | 第41-42页 |
参考文献 | 第42-50页 |
第二章 萘胺衍生的吡咯酰基胍人工受体的合成及对阴离子的识别研究 | 第50-68页 |
·引言 | 第50-51页 |
·实验部分 | 第51-56页 |
·合成路线 | 第51页 |
·试剂及仪器 | 第51-52页 |
·化合物的合成与表征 | 第52-54页 |
·识别研究 | 第54-56页 |
·核磁(NMR)滴定 | 第54页 |
·荧光(FL)滴定 | 第54-55页 |
·荧光量子产率(Φ) | 第55页 |
·紫外(UV-vis)滴定 | 第55页 |
·循环伏安(CV) | 第55-56页 |
·结果与讨论 | 第56-65页 |
·关于合成的讨论-吡咯酰基胍合成方法改进 | 第56-57页 |
·化合物的结构表征 | 第57页 |
·主体Ⅱ-1在DMSO中对阴离子的识别性能研究 | 第57-63页 |
·核磁识别研究 | 第57-58页 |
·荧光识别研究 | 第58-60页 |
·紫外识别研究 | 第60-61页 |
·电化学识别研究 | 第61-62页 |
·机理探讨 | 第62-63页 |
·主体Ⅱ-1在H_2O-DMSO中对氟离子的识别研究 | 第63-65页 |
·荧光识别研究 | 第63页 |
·核磁识别研究 | 第63-65页 |
·机理探讨 | 第65页 |
·本章小结 | 第65-66页 |
参考文献 | 第66-68页 |
第三章 以萘酰亚胺为荧光团的吡咯酰基胍受体的合成及其识别性能研究 | 第68-84页 |
·引言 | 第68-69页 |
·实验部分 | 第69-73页 |
·合成路线 | 第69-70页 |
·试剂及仪器 | 第70页 |
·化合物的合成与表征 | 第70-73页 |
·荧光滴定 | 第73页 |
·主客体作用的构象研究 | 第73页 |
·结果与讨论 | 第73-81页 |
·化合物的结构表征 | 第73页 |
·化合物Ⅲ-1,Ⅲ-2的荧光性质研究 | 第73-74页 |
·Ⅲ-1在H_2O-DMSO体系中对阴离子的识别性能研究 | 第74-78页 |
·pH对Ⅲ-1荧光的影响 | 第74-75页 |
·荧光及紫外识别研究 | 第75-76页 |
·溶剂极性对PPi识别的影响 | 第76页 |
·Ⅲ-1与PPi,ATP作用的分子模拟研究 | 第76-78页 |
·Ⅲ-2在H_2O-DMSO体系中对阴离子的识别性能研究 | 第78-81页 |
·pH对Ⅲ-2荧光的影响 | 第78页 |
·荧光识别研究 | 第78-80页 |
·Ⅲ-2与PPi,ATP作用的分子模拟研究 | 第80-81页 |
·本章小结 | 第81页 |
参考文献 | 第81-84页 |
第四章 以蒽为荧光团的吡咯酰基胍受体的合成及其识别性能研究 | 第84-106页 |
·引言 | 第84-85页 |
·实验部分 | 第85-90页 |
·合成路线 | 第85-86页 |
·试剂及仪器 | 第86-87页 |
·化合物的合成与表征 | 第87-90页 |
·荧光、紫外滴定 | 第90页 |
·荧光量子产率的测定 | 第90页 |
·荧光寿命的测定 | 第90页 |
·光化学反应 | 第90页 |
·液相色谱实验 | 第90页 |
·结果与讨论 | 第90-101页 |
·化合物的结构表征 | 第90-91页 |
·Ⅳ-1在H_2O-DMSO中对阴离子的识别性能研究 | 第91-97页 |
·Ⅳ-1的光谱性质研究 | 第91页 |
·荧光识别研究 | 第91-93页 |
·紫外识别研究 | 第93页 |
·光化学机理验证 | 第93-96页 |
·产生比率荧光的机理 | 第96-97页 |
·NO_2~-,NO_3~-,I~-的荧光猝灭解释 | 第97页 |
·主体Ⅳ-4在H_2O-DMSO中对二羧酸的识别性能研究 | 第97-101页 |
·pH对Ⅳ-4荧光的影响 | 第97-98页 |
·荧光和紫外识别研究 | 第98-99页 |
·PET机理解释 | 第99-100页 |
·分子模拟 | 第100-101页 |
·本章小结 | 第101-102页 |
参考文献 | 第102-106页 |
第五章 含硝基的吡咯酰基胍衍生物的合成及其对阴离子比色传感研究 | 第106-116页 |
·引言 | 第106页 |
·实验部分 | 第106-109页 |
·试剂及仪器 | 第106-107页 |
·合成路线 | 第107页 |
·化合物的合成与表征 | 第107-109页 |
·紫外滴定 | 第109页 |
·结果与讨论 | 第109-113页 |
·合成讨论 | 第109页 |
·化合物的结构表征和确定 | 第109-110页 |
·主体Ⅴ-1在DMSO中的阴离子识别研究 | 第110-111页 |
·主体Ⅴ-2在H_2O-DMSO中的阴离子识别研究 | 第111-113页 |
·pH的影响 | 第111-112页 |
·紫外识别研究 | 第112-113页 |
·分子模拟 | 第113页 |
·本章小结 | 第113-114页 |
参考文献 | 第114-116页 |
第六章 指示剂竞争取代法识别多元羧酸和氨基酸 | 第116-132页 |
·引言 | 第116-117页 |
·实验部分 | 第117-121页 |
·合成路线 | 第117-118页 |
·试剂及仪器 | 第118页 |
·化合物的合成与表征 | 第118-120页 |
·指示剂取代法 | 第120-121页 |
·所选用的指示剂和客体的结构 | 第120-121页 |
·溶液的配制 | 第121页 |
·指示剂取代体系络合常数的测定 | 第121页 |
·结果与讨论 | 第121-129页 |
·化合物的结构表征 | 第121-122页 |
·Ⅵ-1对多元羧酸的紫外荧光识别研究 | 第122-125页 |
·荧光光谱 | 第123-124页 |
·紫外光谱 | 第124页 |
·分子模拟 | 第124-125页 |
·指示剂取代识别多元羧酸 | 第125-127页 |
·指示剂的选择 | 第125-126页 |
·Ⅵ-1-邻苯二酚紫体系 | 第126-127页 |
·Ⅵ-1-茜素配位酮体系 | 第127页 |
·Ⅵ-1-邻苯二酚紫体系识别氨基酸 | 第127-128页 |
·客体结构与识别效果之间关系的讨论 | 第128-129页 |
·本章小结 | 第129-130页 |
参考文献 | 第130-132页 |
第七章 基于稠环芳烃的钳形荧光受体的合成及其对核苷酸的识别 | 第132-152页 |
·引言 | 第132-133页 |
·实验部分 | 第133-136页 |
·试剂及仪器 | 第133-134页 |
·合成路线 | 第134-136页 |
·结果与讨论 | 第136-148页 |
·化合物的结构表征 | 第136-137页 |
·Ⅶ-1在CH_3CN-H_2O体系中的阴离子识别研究 | 第137-141页 |
·pH对Ⅶ-1荧光的影响 | 第137页 |
·荧光识别研究 | 第137-138页 |
·紫外识别研究 | 第138-139页 |
·核磁识别研究 | 第139-140页 |
·Ⅶ-1荧光增强机理解释 | 第140-141页 |
·分子模拟 | 第141页 |
·Ⅶ-2在CH_3CN-H_2O体系的阴离子识别研究 | 第141-147页 |
·pH对Ⅶ-2荧光的影响 | 第141-142页 |
·荧光识别研究 | 第142-145页 |
·紫外识别研究 | 第145页 |
·核磁识别研究 | 第145-146页 |
·分子模拟及荧光变化机理解释 | 第146-147页 |
·Ⅶ-3的阴离子识别研究 | 第147-148页 |
·Ⅶ-3的荧光光谱性质 | 第147页 |
·Ⅶ-3的荧光识别研究 | 第147-148页 |
·本章小结 | 第148页 |
参考文献 | 第148-152页 |
总结 | 第152-154页 |
附录1 水溶性双光子荧光探针的合成 | 第154-164页 |
附录2 主要化合物的~1H NMR,~(13)C NMR,MS图谱 | 第164-173页 |
附录3 攻读博士学位期间发表论文及学术交流情况 | 第173-175页 |
致谢 | 第175-177页 |