| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·碳化硅肖特基二极管的优点 | 第7-8页 |
| ·碳化硅肖特基二极管发展现状 | 第8-10页 |
| ·本文的主要工作 | 第10-11页 |
| 第二章 SiCSBD和SiCJBS工作机理研究 | 第11-21页 |
| ·SiCSBD特性 | 第11-16页 |
| ·SiCSBD正向特性 | 第11-12页 |
| ·SiCSBD反向特性 | 第12-16页 |
| ·SiCJBS特性 | 第16-20页 |
| ·SiCJBS正向特性 | 第17-18页 |
| ·SiCJBS反向特性 | 第18-20页 |
| ·本章小结 | 第20-21页 |
| 第三章 SiCSJSBD | 第21-39页 |
| ·SiC功率肖特基二极管的VB与Ron,sp的关系 | 第21-22页 |
| ·SiCSJSBD结构特点 | 第22-25页 |
| ·SiCSJSBD正向特性 | 第25-26页 |
| ·SiCSJSBD反向特性 | 第26-28页 |
| ·SiCSJSBD中的关键参数及其影响分析 | 第28-38页 |
| ·N/P柱掺杂浓度对VB、Ron,sp和Ileak的影响 | 第28-32页 |
| ·N/P柱宽度对VB、Ron,sp和Ileak的影响 | 第32-34页 |
| ·超结长度对VB、Ron,sp和Ileak的影响 | 第34-35页 |
| ·电荷非平衡对VB和Ileak的影响 | 第35-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 SiCSJJBS | 第39-51页 |
| ·SiCSJJBS结构特点 | 第39-41页 |
| ·P+N结结构参数对SiCSJJBS特性的影响 | 第41-47页 |
| ·P+N结宽度S的影响 | 第41-43页 |
| ·P+N结掺杂浓度的影响 | 第43-45页 |
| ·P+N结深度的影响 | 第45-47页 |
| ·SiCSJJBS和其它二极管的静态特性比较 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第五章 SiCSJJBS瞬态特性研究 | 第51-63页 |
| ·SiCSJJBS基本反向恢复特性 | 第51-56页 |
| ·模拟电路设计 | 第51-52页 |
| ·SiC二极管反向特性的模拟比较 | 第52-56页 |
| ·SiCSJJBS作为续流二极管反向恢复特性研究 | 第56-62页 |
| ·模拟等效电路设计 | 第56-59页 |
| ·4H-SiCSJJBS反向恢复特性模拟分析 | 第59-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 硕士期间研究成果 | 第71-72页 |
