| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·SiC 材料和微波功率器件发展现状 | 第7-10页 |
| ·SiC 微波功率器件发展面临的挑战 | 第10-13页 |
| ·本文主要工作 | 第13-15页 |
| 第二章 4H-SiC MESFET 仿真模型及电场调制原理 | 第15-25页 |
| ·4H-SiC MESFET 基本模型和材料特性 | 第15-18页 |
| ·漂移-扩散模型 | 第15页 |
| ·SiC 材料不完全离化模型 | 第15-16页 |
| ·迁移率模型 | 第16-18页 |
| ·能带结构模型 | 第18页 |
| ·边界条件 | 第18页 |
| ·4H-SiC MESFET 仿真环境及方法 | 第18-20页 |
| ·平面结击穿中的电场边缘效应 | 第20-21页 |
| ·器件内部的电场调制效应 | 第21-22页 |
| ·本章小结 | 第22-25页 |
| 第三章 具有阶梯结构的 4H-SiC MESFET 微波功率器件设计 | 第25-31页 |
| ·阶梯结构 4H-SiC MESFET 理论及实践基础 | 第25-30页 |
| ·多凹栅栅结构 4H-SiC MESFET | 第25-27页 |
| ·阶梯漂移区结构 4H-SiC MESFET | 第27-28页 |
| ·阶梯场板结构 4H-SiC MESFET | 第28-29页 |
| ·阶梯埋氧 SOI | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 阶梯沟道（阶梯隔离层）结构 4H-SiC MESFET 器件设计与仿真 | 第31-51页 |
| ·阶梯沟道 4H-SiC MESFET 模型的建立 | 第31-32页 |
| ·关于 SiC 器件陷阱效应 | 第32-34页 |
| ·陷阱的产生机理 | 第32-33页 |
| ·陷阱对 4H-SiC MESFET 器件性能的影响 | 第33-34页 |
| ·阶梯沟道（隔离层）各项参数的优化 | 第34-49页 |
| ·埋栅深度对于 4H-SiC MESFET 器件工作的影响 | 第34-37页 |
| ·隔离层厚度对于 4H-SiC MESFET 器件工作的影响 | 第37-38页 |
| ·隔离层掺杂浓度对于 4H-SiC MESFET 器件工作的影响 | 第38-39页 |
| ·不同隔离层掺杂浓度下电场调制效果 | 第39-40页 |
| ·4H-SiC MESFET 器件沟道阶梯分割点 | 第40-42页 |
| ·阶梯沟道提高器件击穿特性另一种解释-VLD | 第42页 |
| ·阶梯沟道与栅场板结构的特性比较 | 第42-43页 |
| ·阶梯沟道与栅场板 4H-SiC MESFET 交流小信号参数 | 第43-44页 |
| ·阶梯沟道与栅场板 4H-SiC MESFET 交流小信号参数比较 | 第44-47页 |
| ·影响阶梯沟道 4H-SiC MESFET 性能的其他因素 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第五章 阶梯沟道 4H-SiC MESFET 器件的击穿特性 | 第51-61页 |
| ·半导体击穿机理概述 | 第51-52页 |
| ·阶梯沟道 4H-SiC MESFET 的直流击穿模型选择 | 第52-53页 |
| ·4H-SiC MESFET 直流击穿特性的模拟 | 第53-60页 |
| ·传统 4H-SiC MESFET 器件击穿机理 | 第53-54页 |
| ·a/b=1:1 时阶梯沟道 4H-SiC MESFET 的击穿特性 | 第54-56页 |
| ·不同栅漏距离 LDG时的阶梯沟道 4H-SiC MESFET 的击穿 | 第56页 |
| ·不同 a/b 比时阶梯沟道 4H-SiC MESFET 的击穿特性 | 第56-59页 |
| ·不同阶梯数目对阶梯沟道 4H-SiC MESFET 的击穿影响 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第六章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 总结 | 第61-62页 |
| 展望 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 硕士期间参加的科研项目 | 第70-71页 |
| 科研项目 | 第70页 |
| 论文情况 | 第70-71页 |
