| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·发热体概述 | 第10-11页 |
| ·炭/炭复合材料表面涂层技术 | 第11-14页 |
| ·固态渗透法 | 第11-12页 |
| ·溶胶—凝胶法 | 第12页 |
| ·涂刷法 | 第12-13页 |
| ·等离子喷涂法 | 第13页 |
| ·液相法 | 第13页 |
| ·电泳沉积法 | 第13页 |
| ·化学气相沉积(CVD)工艺 | 第13-14页 |
| ·化学气相沉积技术的研究及应用 | 第14-17页 |
| ·化学气相沉积的原理 | 第14-15页 |
| ·化学气相沉积工艺参数 | 第15-16页 |
| ·工艺参数对涂层微观结构及性能的影响 | 第16-17页 |
| ·SiCw的制备方法 | 第17-18页 |
| ·本文研究的目的和意义 | 第18-19页 |
| ·本文的主要研究内容和研究方案 | 第19-20页 |
| ·主要研究内容 | 第19页 |
| ·研究方案 | 第19-20页 |
| ·本文取得的主要创新点 | 第20-22页 |
| 第二章 实验方法 | 第22-27页 |
| ·前言 | 第22页 |
| ·实验原材料 | 第22页 |
| ·炭/炭复合材料基体的预处理 | 第22页 |
| ·制备SiCw和SiC涂层的原材料 | 第22页 |
| ·实验设备 | 第22-23页 |
| ·硅基材料的制备方法 | 第23-24页 |
| ·CVD法制备SiCw | 第23-24页 |
| ·CVD法制备SiC涂层 | 第24页 |
| ·硅基材料的抗腐蚀性能 | 第24页 |
| ·硅基材料的表征 | 第24-27页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第24-25页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第25页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第25-26页 |
| ·红外光谱仪(IR) | 第26页 |
| ·拉曼光谱(Raman Spectroscopy) | 第26-27页 |
| 第三章 炭/炭复合材料表面CVD-SiCw的研究 | 第27-37页 |
| ·晶须制备 | 第27页 |
| ·晶须表征 | 第27-31页 |
| ·SiC晶须的TEM分析 | 第27-29页 |
| ·晶须XRD分析 | 第29-30页 |
| ·晶须的拉曼光谱分析 | 第30-31页 |
| ·SiC晶须的红外光谱分析 | 第31页 |
| ·工艺参数对SiC晶须沉积形貌的影响 | 第31-33页 |
| ·沉积温度对晶须形貌的影响 | 第31-32页 |
| ·稀释气体流量对晶须形貌的影响 | 第32-33页 |
| ·SiC晶须的沉积机理分析 | 第33-35页 |
| ·SiC沉积热力学 | 第33-34页 |
| ·SiC晶须生长机制 | 第34-35页 |
| ·小节 | 第35-37页 |
| 第四章 炭/炭复合材料表面CVD-SiC微观形貌 | 第37-46页 |
| ·实验 | 第37-38页 |
| ·沉积压力对CVD-SiC形貌的影响 | 第38-42页 |
| ·实验一 (P=0.4KPa～0.9KPa)CVD-SiC生长形貌 | 第38-39页 |
| ·实验二 (P=1.5KPa～2.2KPa)CVD-SiC生长形貌 | 第39-40页 |
| ·实验三 (P=5KPa～12KPa)CVD-SiC生长形貌 | 第40-42页 |
| ·沉积位置对CVD-SiC形貌的影响 | 第42-44页 |
| ·CVD-SiC显微形貌和物相变化规律的讨论 | 第44页 |
| ·小结 | 第44-46页 |
| 第五章 炭/炭复合材料表面硅基材料腐蚀性能研究 | 第46-55页 |
| ·实验方法 | 第46-47页 |
| ·材料的制备 | 第46页 |
| ·试验方法 | 第46-47页 |
| ·腐蚀性能 | 第47-53页 |
| ·试样在HCl、HF中的腐蚀95℃下 | 第47-50页 |
| ·试样在HNO_3中的腐蚀 | 第50-53页 |
| ·试样在三种腐蚀介质中的腐蚀机理 | 第53-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 第六章 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 攻读硕士学位期间的主要研究成果 | 第61页 |
