40-50GHz磷化铟单片集成低噪声放大器的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-15页 |
| ·微波、毫米波单片集成电路概述 | 第11-13页 |
| ·微波、毫米波单片集成电路的发展历史 | 第11-12页 |
| ·微波、毫米波单片集成电路的设计流程 | 第12-13页 |
| ·磷化铟低噪放的发展状况 | 第13-14页 |
| ·InP HEMT 的特点及优势 | 第13页 |
| ·InP 低噪放的发展状况 | 第13-14页 |
| ·本文主要研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 InP 工艺中的无源部件 | 第15-35页 |
| ·共面波导 | 第16-30页 |
| ·共面波导及其优点 | 第16页 |
| ·共面波导建模 | 第16-21页 |
| ·下穿桥加载共面波导建模 | 第21-30页 |
| ·短路支节线建模 | 第30-32页 |
| ·HEMT 外围无源结构建模 | 第32-34页 |
| ·本章小节 | 第34-35页 |
| 第三章 InP HEMT 模型 | 第35-55页 |
| ·外围寄生参数提取 | 第35-43页 |
| ·参数提取原理 | 第35-40页 |
| ·参数提取结果 | 第40-43页 |
| ·寄生参数剥离 | 第43页 |
| ·本征部分模型参数提取 | 第43-47页 |
| ·小信号模型选取 | 第43-44页 |
| ·模型修正和参数提取结果 | 第44-47页 |
| ·HEMT 噪声模型参数提取 | 第47-54页 |
| ·噪声理论 | 第47-52页 |
| ·本征参数的提取 | 第52-54页 |
| ·本章小节 | 第54-55页 |
| 第四章 InP HEMT 外围结构优化 | 第55-62页 |
| ·原始HEMT 结构性能 | 第55-57页 |
| ·电路理论 | 第57-58页 |
| ·外围结构优化 | 第58-61页 |
| ·本章小节 | 第61-62页 |
| 第五章 低噪声放大器的设计 | 第62-78页 |
| ·指标要求 | 第62页 |
| ·第一级电路设计 | 第62-69页 |
| ·输入最佳噪声匹配 | 第62-66页 |
| ·输出阻抗匹配 | 第66-67页 |
| ·第一级整体电路 | 第67-69页 |
| ·第二级电路设计 | 第69-73页 |
| ·输入最佳噪声匹配 | 第69-71页 |
| ·输出阻抗匹配 | 第71页 |
| ·第二级整体电路 | 第71-73页 |
| ·整体低噪声放大器电路 | 第73-75页 |
| ·低温性能估计 | 第75-76页 |
| ·电路版图设计 | 第76-77页 |
| ·直流偏置电路 | 第76页 |
| ·电路版图 | 第76-77页 |
| ·本章小节 | 第77-78页 |
| 第六章 结论 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-85页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第85-86页 |
