| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-12页 |
| ·功率半导体器件简介 | 第8-9页 |
| ·课题研究的背景 | 第9-10页 |
| ·功率P-i-N 二极管的研究现状 | 第10-11页 |
| ·本文研究内容和研究意义 | 第11-12页 |
| 第2章 功率 P-i-N 二极管及其制造技术 | 第12-27页 |
| ·现代功率 P-i-N 二极管简介 | 第12-20页 |
| ·现代功率P-i-N 二极管的结构和基本工作原理 | 第12-14页 |
| ·现代功率P-i-N 二极管的主要性能参数 | 第14-19页 |
| ·现代功率P-i-N 二极管的性能要求 | 第19-20页 |
| ·漂移区控制技术的提出与基本原理 | 第20-23页 |
| ·阳极发射效率控制技术的提出与基本原理 | 第23-24页 |
| ·终端技术 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-27页 |
| 第3章 新型局域铂掺杂结合电子辐照寿命控制技术理论及仿真研究 | 第27-48页 |
| ·寿命控制的基本理论 | 第27-30页 |
| ·现有寿命控制技术简介 | 第30-38页 |
| ·整体寿命控制技术 | 第30-33页 |
| ·局域寿命控制技术 | 第33-38页 |
| ·新型局域铂掺杂结合电子辐照寿命控制技术的仿真研究 | 第38-46页 |
| ·仿真理论研究 | 第39-40页 |
| ·器件仿真研究 | 第40-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第4章 制造FRD的实验研究 | 第48-67页 |
| ·实验构想的提出 | 第48页 |
| ·实验样管的结构设计 | 第48-53页 |
| ·实验样管阳极设计 | 第49页 |
| ·实验样管漂移区设计 | 第49-50页 |
| ·局域铂掺杂寿命控制技术设计 | 第50-51页 |
| ·终端结构的设计 | 第51-52页 |
| ·实验样管背金工艺方法 | 第52页 |
| ·实验样管结构的工艺仿真 | 第52-53页 |
| ·实验样管的制造 | 第53-65页 |
| ·实验样管的编号 | 第53页 |
| ·实验样管的制造流程图 | 第53-57页 |
| ·实验样管的管芯照片及扩展电阻测试结果 | 第57-58页 |
| ·电子辐照前实验样管的电参数测试结果 | 第58-61页 |
| ·电子辐照后实验样管的电参数测试 | 第61-65页 |
| ·后仿真 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 结论 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74页 |