| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-7页 |
| 第1章 引言 | 第7-19页 |
| ·应变硅的研究意义 | 第7-9页 |
| ·应变硅技术的分类介绍 | 第9-14页 |
| ·基于圆片应变（双轴应变） | 第9-12页 |
| ·工艺诱生应变（局部应变） | 第12-14页 |
| ·应变硅技术研究回顾 | 第14-18页 |
| ·双轴应变硅技术研究回顾 | 第14-15页 |
| ·产业界应变硅技术运用回顾 | 第15-18页 |
| ·本论文主要工作 | 第18-19页 |
| 第2章 双轴应变硅技术的原理分析 | 第19-28页 |
| ·双轴应变硅的晶格结构分析 | 第19-20页 |
| ·双轴应变硅的能带结构分析 | 第20-23页 |
| ·双轴应变硅导带结构分析 | 第20-21页 |
| ·双轴应变硅价带结构分析 | 第21-23页 |
| ·双轴应变硅MOSFET 迁移率的增强机理 | 第23-25页 |
| ·双轴应变硅NMOSFETs 电子迁移率的增强机理 | 第23-24页 |
| ·双轴应变硅PMOSFETs 空穴迁移率的增强机理 | 第24-25页 |
| ·双轴应变硅电场和温度效应分析 | 第25-27页 |
| ·双轴应变硅电场效应分析 | 第25-26页 |
| ·双轴应变硅温度效应分析 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 双轴应变硅材料特性及表征方法研究 | 第28-43页 |
| ·双轴应变硅的材料特性 | 第28-32页 |
| ·弛豫Si_(1-x)Ge_x衬底上应变硅层的临界厚度 | 第28-29页 |
| ·应变锗硅层临界厚度 | 第29-30页 |
| ·双轴应变硅材料的位错分析 | 第30-32页 |
| ·双轴应变硅材料的表征方法研究 | 第32-42页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第33-34页 |
| ·X 射线双晶衍射（DCXRD） | 第34-37页 |
| ·拉曼光谱分析（RAMAN） | 第37-38页 |
| ·二次离子质谱仪（SIMS） | 第38-39页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第39-40页 |
| ·透射电镜（TEM） | 第40页 |
| ·Schimmel 腐蚀液 | 第40-41页 |
| ·双轴应变硅表征方法总结 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 双轴应变硅材料实现方法研究 | 第43-73页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·双轴应变硅的外延 | 第43-46页 |
| ·超高真空锗硅化学气相外延系统 | 第44页 |
| ·减压外延（RPCVD）系统 | 第44-46页 |
| ·基于GE 组分渐变技术的双轴应变硅材料实现 | 第46-57页 |
| ·Ge 组分渐变双轴应变硅材料研究 | 第46-48页 |
| ·Ge 组分渐变双轴应变硅材料生长 | 第48-49页 |
| ·锗含量和应变度测量及分析 | 第49-53页 |
| ·位错及表面粗糙度分析 | 第53-57页 |
| ·离子注入实现薄弛豫锗硅层和高质量应变硅层研究 | 第57-64页 |
| ·离子注入实现锗硅弛豫原理研究 | 第57-58页 |
| ·Ar 离子注入实现锗硅弛豫回顾 | 第58-60页 |
| ·Ar 离子注入实现高质量弛豫锗硅层以及应变硅层方法改进 | 第60-64页 |
| ·锗硅氧化方法实现薄弛豫锗硅层 | 第64-72页 |
| ·锗硅氧化实验研究 | 第64-69页 |
| ·用锗硅氧化方法实现双轴应变硅 | 第69-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 第5章 双轴应变硅MOS 器件工艺研究 | 第73-101页 |
| ·双轴应变硅MOS 器件制作考虑 | 第73-78页 |
| ·双轴应变硅MOS 器件制作热开销控制 | 第73-75页 |
| ·双轴应变硅MOS 器件的隔离 | 第75-77页 |
| ·双轴应变硅器件的阱制作工艺 | 第77-78页 |
| ·淀积场氧化层隔离的双轴应变硅NMOS 制造 | 第78-82页 |
| ·设计考虑及实现结构 | 第78-79页 |
| ·工艺过程 | 第79-81页 |
| ·淀积场氧化层隔离工艺模块设计 | 第81-82页 |
| ·基于浅槽隔离的双轴应变硅CMOS 制造 | 第82-91页 |
| ·设计考虑及实现结构 | 第82-84页 |
| ·工艺过程 | 第84-85页 |
| ·浅槽隔离工艺模块设计 | 第85-89页 |
| ·阱制作工艺设计 | 第89-90页 |
| ·热开销控制 | 第90-91页 |
| ·流水结果及分析 | 第91-99页 |
| ·双轴应变硅NMOS 测试结果 | 第91-94页 |
| ·双轴应变硅PMOS 测试结果 | 第94-97页 |
| ·双轴应变硅NMOS 温度特性测试 | 第97-99页 |
| ·双轴应变硅MOS 器件制造总结及展望 | 第99-101页 |
| 第6章 结论 | 第101-108页 |
| 致谢 | 第108-109页 |
| 期间发表的学术论文与研究成果 | 第109页 |
