首页
--
数理科学和化学论文
--
物理学论文
--
半导体物理学论文
--
半导体理论论文
--
半导体量子理论论文
GaAs-Al
x
Ga
1-x
As量子阱中带电激子的性质
中文摘要
第1-9页
第一章 绪论
第9-12页
第二章 理论框架
第12-20页
2.1 量子阱中的激子态
第12-14页
2.2 量子阱中激子的二维等效模型
第14-16页
2.3 量子阱中的带电激子体系
第16-20页
第三章 结果与讨论
第20-29页
3.1 计算结果
第20-25页
3.2 与理论计算结果的比较
第25-27页
3.3 与实验结果的比较
第27-29页
第四章 结论
第29-30页
参考文献
第30-32页
致谢
第32-33页
附录
第33-35页
论文共
35
页,
点击
下载论文
上一篇:
SBEG公司精益生产方式的研究与实施
下一篇:
利用世行贷款发展节水灌溉项目管理模式及启示