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IV-VI族半导体低维结构的光学性质研究

摘要第1-7页
Abstract第7-10页
第一章 文献综述第10-29页
   ·引言第10页
   ·Ⅳ-Ⅵ族半导体材料PbSe和PbTe的基本物理性质第10-14页
     ·PbSe和PbTe的晶体结构第10-11页
     ·PbSe和PbTe的能带结构第11-14页
     ·PbSe和PbTe的其他物理性质第14页
   ·Ⅳ-Ⅵ族半导体材料及其低维结构的制备第14-19页
     ·Ⅳ-Ⅵ族半导体薄膜的制备第14-16页
     ·Ⅳ-Ⅵ族半导体量子阱的制备第16-17页
     ·Ⅳ-Ⅵ族半导体量子点的制备第17-19页
   ·Ⅳ-Ⅵ族半导体低维结构的光学性质第19-22页
   ·Ⅳ-Ⅵ族半导体低维结构的自旋-轨道耦合效应第22-23页
   ·Ⅳ-Ⅵ族半导体在光电器件方面的应用第23-27页
     ·中红外激光器的发展第23-26页
     ·中红外探测器的发展第26-27页
   ·本论文的工作第27-29页
第二章 Ⅳ-Ⅵ半导体及其低维结构的电子能带结构第29-57页
   ·布洛赫理论和k·p理论第29-32页
     ·k·p理论在单带和多带模型中的应用第30-31页
     ·能带结构的Kane's模型:考虑自旋轨道相互作用的k·p理论第31-32页
   ·Ⅳ-Ⅵ体材料的布洛赫波函数和哈密顿量矩阵第32-36页
   ·Ⅳ-Ⅵ族半导体量子阱的电子能带结构第36-44页
     ·[111]取向的量子阱的电子能带结构第36-40页
     ·[001]取向的量子阱的电子能带结构第40-41页
     ·[110]取向的量子阱的电子能带结构第41-44页
   ·Ⅳ-Ⅵ族半导体量子点的电子能带结构第44-52页
     ·[111]取向的量子点的电子能带结构第44-46页
     ·[001]取向的量子点的电子能带结构第46-48页
     ·[110]取向的量子点的电子能带结构第48-52页
   ·Ⅳ-Ⅵ族半导体的带间跃迁矩阵元第52-56页
   ·本章小结第56-57页
第三章 PbTe/CdTe量子阱的自发辐射和光学增益第57-71页
   ·引言第57-58页
   ·理论模型第58-60页
     ·[001]取向的PbTe/CdTe量子阱中电子和空穴的量子能级的计算第58-59页
     ·PbTe/CdTe量子阱自发辐射谱的计算第59-60页
   ·结果和讨论第60-69页
     ·自发辐射谱的计算曲线第60-64页
     ·光学增益谱的计算曲线第64-65页
     ·生长取向对PbTe/CdTe量子阱光学增益的影响第65-69页
   ·本章小结第69-71页
第四章 PbTe/CdTe量子点的自发辐射和光学增益第71-88页
   ·引言第71-72页
   ·PbTe/CdTe量子点体系描述和各项异性的计算第72-74页
   ·自发辐射谱和光学增益谱的计算第74-75页
   ·结果和讨论第75-86页
     ·单一尺寸的PbTe/CdTe量子点的自发辐射谱第75-80页
     ·PbTe/CdTe量子点体系的尺寸分布和光致发光谱的理论模拟第80-82页
     ·[001]取向的PbTe/CdTe量子点的光学增益第82-86页
   ·本章小结第86-88页
第五章 非对称Ⅳ-Ⅵ半导体量子阱中的Rashba效应第88-98页
   ·引言第88-89页
   ·理论第89-91页
   ·结果和讨论第91-96页
   ·本章小结第96-98页
第六章 PbSe薄膜表面微结构及量子点的分子束外延第98-110页
   ·引言第98-99页
   ·实验第99-100页
   ·结果和讨论第100-109页
     ·PbSe晶体薄膜的表面微结构第100-104页
     ·PbTe和PbSe量子点结构第104-107页
     ·PbSe/PbTe量子点的光致发光谱第107-109页
   ·本章小结第109-110页
第七章 总结与今后工作展望第110-113页
   ·总结第110-112页
   ·今后工作展望第112-113页
参考文献第113-126页
致谢第126-127页
博士期间发表论文和申请专利一览表第127-128页

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