摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-10页 |
第一章 文献综述 | 第10-29页 |
·引言 | 第10页 |
·Ⅳ-Ⅵ族半导体材料PbSe和PbTe的基本物理性质 | 第10-14页 |
·PbSe和PbTe的晶体结构 | 第10-11页 |
·PbSe和PbTe的能带结构 | 第11-14页 |
·PbSe和PbTe的其他物理性质 | 第14页 |
·Ⅳ-Ⅵ族半导体材料及其低维结构的制备 | 第14-19页 |
·Ⅳ-Ⅵ族半导体薄膜的制备 | 第14-16页 |
·Ⅳ-Ⅵ族半导体量子阱的制备 | 第16-17页 |
·Ⅳ-Ⅵ族半导体量子点的制备 | 第17-19页 |
·Ⅳ-Ⅵ族半导体低维结构的光学性质 | 第19-22页 |
·Ⅳ-Ⅵ族半导体低维结构的自旋-轨道耦合效应 | 第22-23页 |
·Ⅳ-Ⅵ族半导体在光电器件方面的应用 | 第23-27页 |
·中红外激光器的发展 | 第23-26页 |
·中红外探测器的发展 | 第26-27页 |
·本论文的工作 | 第27-29页 |
第二章 Ⅳ-Ⅵ半导体及其低维结构的电子能带结构 | 第29-57页 |
·布洛赫理论和k·p理论 | 第29-32页 |
·k·p理论在单带和多带模型中的应用 | 第30-31页 |
·能带结构的Kane's模型:考虑自旋轨道相互作用的k·p理论 | 第31-32页 |
·Ⅳ-Ⅵ体材料的布洛赫波函数和哈密顿量矩阵 | 第32-36页 |
·Ⅳ-Ⅵ族半导体量子阱的电子能带结构 | 第36-44页 |
·[111]取向的量子阱的电子能带结构 | 第36-40页 |
·[001]取向的量子阱的电子能带结构 | 第40-41页 |
·[110]取向的量子阱的电子能带结构 | 第41-44页 |
·Ⅳ-Ⅵ族半导体量子点的电子能带结构 | 第44-52页 |
·[111]取向的量子点的电子能带结构 | 第44-46页 |
·[001]取向的量子点的电子能带结构 | 第46-48页 |
·[110]取向的量子点的电子能带结构 | 第48-52页 |
·Ⅳ-Ⅵ族半导体的带间跃迁矩阵元 | 第52-56页 |
·本章小结 | 第56-57页 |
第三章 PbTe/CdTe量子阱的自发辐射和光学增益 | 第57-71页 |
·引言 | 第57-58页 |
·理论模型 | 第58-60页 |
·[001]取向的PbTe/CdTe量子阱中电子和空穴的量子能级的计算 | 第58-59页 |
·PbTe/CdTe量子阱自发辐射谱的计算 | 第59-60页 |
·结果和讨论 | 第60-69页 |
·自发辐射谱的计算曲线 | 第60-64页 |
·光学增益谱的计算曲线 | 第64-65页 |
·生长取向对PbTe/CdTe量子阱光学增益的影响 | 第65-69页 |
·本章小结 | 第69-71页 |
第四章 PbTe/CdTe量子点的自发辐射和光学增益 | 第71-88页 |
·引言 | 第71-72页 |
·PbTe/CdTe量子点体系描述和各项异性的计算 | 第72-74页 |
·自发辐射谱和光学增益谱的计算 | 第74-75页 |
·结果和讨论 | 第75-86页 |
·单一尺寸的PbTe/CdTe量子点的自发辐射谱 | 第75-80页 |
·PbTe/CdTe量子点体系的尺寸分布和光致发光谱的理论模拟 | 第80-82页 |
·[001]取向的PbTe/CdTe量子点的光学增益 | 第82-86页 |
·本章小结 | 第86-88页 |
第五章 非对称Ⅳ-Ⅵ半导体量子阱中的Rashba效应 | 第88-98页 |
·引言 | 第88-89页 |
·理论 | 第89-91页 |
·结果和讨论 | 第91-96页 |
·本章小结 | 第96-98页 |
第六章 PbSe薄膜表面微结构及量子点的分子束外延 | 第98-110页 |
·引言 | 第98-99页 |
·实验 | 第99-100页 |
·结果和讨论 | 第100-109页 |
·PbSe晶体薄膜的表面微结构 | 第100-104页 |
·PbTe和PbSe量子点结构 | 第104-107页 |
·PbSe/PbTe量子点的光致发光谱 | 第107-109页 |
·本章小结 | 第109-110页 |
第七章 总结与今后工作展望 | 第110-113页 |
·总结 | 第110-112页 |
·今后工作展望 | 第112-113页 |
参考文献 | 第113-126页 |
致谢 | 第126-127页 |
博士期间发表论文和申请专利一览表 | 第127-128页 |