多晶硅纳米薄膜加速度传感器研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| ·研究的背景与目的 | 第9-10页 |
| ·加速度传感器研究现状 | 第10-13页 |
| ·压阻式硅微型加速度传感器 | 第10-11页 |
| ·电容式硅微型加速度传感器 | 第11页 |
| ·隧道式硅微型加速度传感器 | 第11-13页 |
| 第二章 多晶硅纳米薄膜压阻效应 | 第13-22页 |
| ·半导体的压阻效应 | 第13-16页 |
| ·压阻效应 | 第13-14页 |
| ·压阻系数 | 第14-16页 |
| ·多晶硅纳米薄膜压阻特性 | 第16-22页 |
| ·现有压阻理论的局限性 | 第16-17页 |
| ·多晶硅的隧道压阻效应 | 第17-18页 |
| ·掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜压阻特性的影响 | 第18-20页 |
| ·不同温度对多晶硅纳米薄膜压阻特性的影响 | 第20-22页 |
| 第三章 压阻式加速度传感器结构设计 | 第22-35页 |
| ·弹性元件的结构方案 | 第22-28页 |
| ·同侧双臂梁结构 | 第22-24页 |
| ·异侧双臂结构 | 第24-26页 |
| ·四梁固支梁结构 | 第26-27页 |
| ·三种结构的灵敏度和频率分析 | 第27-28页 |
| ·结构尺寸设计 | 第28-35页 |
| ·梁的宽度变化对最大应变值的影响 | 第28-29页 |
| ·梁的长度变化对最大应变值的影响 | 第29-30页 |
| ·质量块的长度变化对最大应变值的影响 | 第30-31页 |
| ·厚度变化对最大应变值的影响 | 第31-32页 |
| ·传感器的的结构尺寸选取 | 第32-35页 |
| 第四章 压阻元件的设计 | 第35-38页 |
| ·压阻条的参数及结构 | 第35-36页 |
| ·压阻电桥的位置布置及输出灵敏度 | 第36-38页 |
| 第五章 传感器工艺 | 第38-46页 |
| ·传感器工艺流程 | 第38-40页 |
| ·薄膜淀积工艺 | 第40-42页 |
| ·物理气相淀积 | 第41页 |
| ·化学气相淀积 | 第41-42页 |
| ·图形制作工艺 | 第42-46页 |
| ·掩模制作 | 第42-43页 |
| ·涂胶及前烘 | 第43页 |
| ·曝光及曝光后处理 | 第43-44页 |
| ·显影 | 第44页 |
| ·显影后处理 | 第44-45页 |
| ·光刻工艺流程 | 第45-46页 |
| 第六章 仿真结果分析 | 第46-51页 |
| ·约束条件 | 第46-47页 |
| ·传感器的量程和抗过载能力 | 第47页 |
| ·横向灵敏度 | 第47-49页 |
| ·灵敏度及频率分析 | 第49-51页 |
| 第七章 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 附录 A 加速度传感器结构芯片版图 | 第54-55页 |
| 在学研究成果 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
