摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第13-29页 |
1.1 研究背景及意义 | 第13-16页 |
1.2 定向凝固法生长多晶硅 | 第16-19页 |
1.3 多晶硅铸锭中的缺陷 | 第19-23页 |
1.4 数值模拟在铸锭过程的应用 | 第23-26页 |
1.5 定向凝固法多晶硅定向凝固研究现状 | 第26-28页 |
1.6 本课题研究目的及方法 | 第28-29页 |
第二章 多晶硅铸锭炉模型的建立 | 第29-49页 |
2.1 多晶硅铸锭工艺简介 | 第29-31页 |
2.2 多晶硅铸锭炉内基本传热规律 | 第31-36页 |
2.3 数学模型 | 第36-41页 |
2.3.1 湍流模型 | 第36-37页 |
2.3.2 Alexander-Haasen位错模型 | 第37-38页 |
2.3.3 基本控制方程 | 第38-39页 |
2.3.4 固/液界面结晶速率 | 第39页 |
2.3.5 边界条件 | 第39-41页 |
2.4 物理模型 | 第41-43页 |
2.5 数值模拟流程 | 第43-48页 |
2.6 本章小结 | 第48-49页 |
第三章 多晶硅不同生长阶段热应力与位错的数值研究 | 第49-59页 |
3.1 生长过程监测点温度的变化规律 | 第49-50页 |
3.2 长晶阶段初期温场、热应力场和位错密度的分布 | 第50-53页 |
3.2.1 长晶阶段初期温场、热应力场及位错密度的分布 | 第50-51页 |
3.2.2 长晶阶段中期温场、热应力场及位错密度的分布 | 第51-52页 |
3.2.3 长晶阶段后期温场、热应力场及位错密度的分布 | 第52-53页 |
3.3 冷却阶段温场、热应力场和位错密度的分布 | 第53-54页 |
3.4 整个生长过程晶体内热应力和位错密度的分布 | 第54-57页 |
3.4.1 晶体内热应力和位错密度最大值的分布 | 第54-55页 |
3.4.2 晶体内位错增殖速率最大值的分布 | 第55-57页 |
3.5 本章小结 | 第57-59页 |
第四章 隔热笼提升速率及高温退火对热应力和位错密度分布的影响 | 第59-69页 |
4.1 隔热笼提升速率对晶体热应力、残余应力及位错密度的影响 | 第60-64页 |
4.1.1 隔热笼提升速率对晶体热应力的影响 | 第61-62页 |
4.1.2 隔热笼提升速率对晶体位错密度的影响 | 第62-63页 |
4.1.3 隔热笼提升速率对晶体残余应力的影响 | 第63-64页 |
4.2 高温退火对晶体热应力和位错密度的影响 | 第64-68页 |
4.2.1 高温退火前后晶体热场变化 | 第64-65页 |
4.2.2 高温退火前后晶体热应力变化 | 第65-66页 |
4.2.3 高温退火前后晶体位错密度变化 | 第66页 |
4.2.4 高温退火前后晶体最大热应力和位错密度的变化 | 第66-68页 |
4.3 本章小结 | 第68-69页 |
第五章 结论与展望 | 第69-71页 |
5.1 主要结论 | 第69-70页 |
5.2 展望 | 第70-71页 |
参考文献 | 第71-76页 |
致谢 | 第76-77页 |
攻读硕士学位期间取得的相关科研成果 | 第77页 |