摘要 | 第4-6页 |
abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-34页 |
1.1 引言 | 第11页 |
1.2 g-C_3N_4的发展过程 | 第11-14页 |
1.3 g-C_3N_4制备方法 | 第14-16页 |
1.3.1 一锅热聚法 | 第14-15页 |
1.3.2 溶剂热法 | 第15页 |
1.3.3 微波法 | 第15页 |
1.3.4 化学反应法 | 第15-16页 |
1.4 g-C_3N_4的性质 | 第16-18页 |
1.4.1 g-C_3N_4的结构性质 | 第16页 |
1.4.2 热稳定性 | 第16-17页 |
1.4.3 化学稳定性 | 第17页 |
1.4.4 光学和光电化学性质 | 第17-18页 |
1.5 g-C_3N_4的改性 | 第18-27页 |
1.5.1 形貌调控 | 第18-21页 |
1.5.2 g-C_3N_4的带隙设计 | 第21-24页 |
1.5.3 g-C_3N_4基复合半导体材料 | 第24-27页 |
1.6 应用研究 | 第27-31页 |
1.6.1 光催化析氢 | 第27-29页 |
1.6.2 光催化CO_2还原 | 第29页 |
1.6.3 污染物的光催化降解 | 第29-30页 |
1.6.4 光催化有机合成 | 第30页 |
1.6.5 光催化灭菌 | 第30-31页 |
1.7 总结和展望 | 第31页 |
1.8 论文选题依据及主要研究内容 | 第31-34页 |
1.8.1 论文选题依据 | 第31-32页 |
1.8.2 主要研究内容 | 第32-34页 |
第二章 实验部分 | 第34-41页 |
2.1 实验材料及仪器 | 第34-36页 |
2.1.1 实验材料 | 第34页 |
2.1.2 实验仪器 | 第34-35页 |
2.1.3 实验设备 | 第35-36页 |
2.2 体相g-C_3N_4的制备 | 第36-38页 |
2.2.1 g-C_3N_4的表面热解改性 | 第36-37页 |
2.2.2 体相g-C_3N_4的CVD法改性 | 第37页 |
2.2.3 体相g-C_3N_4的界面反应改性 | 第37-38页 |
2.3 结构表征 | 第38-40页 |
2.3.1 透射电子显微镜 | 第38页 |
2.3.2 扫描电子显微镜 | 第38页 |
2.3.3 X射线衍射仪 | 第38-39页 |
2.3.4 红外分光光度计 | 第39页 |
2.3.5 热重分析仪 | 第39页 |
2.3.6 孔结构分析仪 | 第39页 |
2.3.7 X射线光电子能谱仪 | 第39页 |
2.3.8 元素分析仪 | 第39页 |
2.3.9 裂解气质联用仪 | 第39页 |
2.3.10 热重红外联用仪 | 第39-40页 |
2.4 光学性质表征 | 第40页 |
2.4.1 紫外可见吸收光谱 | 第40页 |
2.4.2 荧光光谱 | 第40页 |
2.4.3 荧光衰减光谱 | 第40页 |
2.4.4 电子自旋共振测试 | 第40页 |
2.5 光催化析性能的评价 | 第40-41页 |
第三章 g-C_3N_4的表面热解改性及其光催化析氢性能 | 第41-53页 |
3.1 引言 | 第41页 |
3.2 形貌表征 | 第41-43页 |
3.3 化学结构表征 | 第43-49页 |
3.4 光学性质 | 第49-51页 |
3.5 光催化水制氢活性 | 第51页 |
3.6 光催化机理 | 第51-52页 |
3.7 本章小结 | 第52-53页 |
第四章 g-C_3N_4的CVD法改性及其结构性质 | 第53-64页 |
4.1 引言 | 第53页 |
4.2 形貌表征 | 第53-56页 |
4.3 光学性质表征 | 第56-57页 |
4.4 化学结构表征 | 第57-60页 |
4.5 CVD法改性机理 | 第60-63页 |
4.6 本章小结 | 第63-64页 |
第五章 g-C_3N_4、卤化盐(NaCl、KCl)和H_2O的界面反应及其光催化性能 | 第64-88页 |
5.1 引言 | 第64页 |
5.2 催化剂的结构与形貌表征 | 第64-69页 |
5.3 化学结构表征 | 第69-75页 |
5.4 形成机理研究 | 第75-79页 |
5.5 光学性能 | 第79-85页 |
5.6 其它卤化物的改性 | 第85-87页 |
5.7 本章小结 | 第87-88页 |
结论与展望 | 第88-91页 |
课题的新颖之处 | 第91-92页 |
参考文献 | 第92-111页 |
攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第111-112页 |
致谢 | 第112页 |