摘要 | 第4-5页 |
abstract | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第9-17页 |
1.1 引言 | 第9页 |
1.2 半导体气敏传感器工作原理 | 第9-11页 |
1.3 掺杂的研究进展 | 第11-14页 |
1.3.1 贵金属 | 第12页 |
1.3.2 稀土元素 | 第12-13页 |
1.3.3 过渡族金属元素 | 第13-14页 |
1.4 表面修饰 | 第14-15页 |
1.5 研究目的及内容 | 第15-17页 |
第二章 掺杂对ZnO气敏性能对比研究 | 第17-32页 |
2.1 引言 | 第17页 |
2.2 实验部分 | 第17-25页 |
2.2.1 纳米ZnO材料的制备 | 第17-18页 |
2.2.2 纳米ZnO的表征 | 第18-19页 |
2.2.3 掺杂ZnO气敏传感器的制备 | 第19-21页 |
2.2.4 传感器气敏性能的测试 | 第21-25页 |
2.3 实验结果及讨论 | 第25-31页 |
2.3.1 离子半径 | 第26-27页 |
2.3.2 元素周期 | 第27-28页 |
2.3.3 化合价 | 第28-29页 |
2.3.4 温度 | 第29-31页 |
2.4 本章小结 | 第31-32页 |
第三章 表面修饰SnO_2气敏传感器性能研究 | 第32-53页 |
3.1 丝网印刷工艺简介 | 第32-33页 |
3.2溶胶凝胶法制备介孔SnO_2 | 第33-36页 |
3.2.1 实验材料 | 第33-34页 |
3.2.2 实验仪器 | 第34页 |
3.2.3 介孔SnO_2制备过程 | 第34-35页 |
3.2.4 介孔SnO_2的表征 | 第35-36页 |
3.3 实验过程 | 第36-40页 |
3.3.1 SnO_2传感器的制备 | 第36-38页 |
3.3.2 气敏性能测试 | 第38-40页 |
3.4 实验结果及其讨论 | 第40-52页 |
3.4.1 SnO_2气敏膜表面形貌分析 | 第40-42页 |
3.4.2 传感器温度-电阻分析 | 第42-43页 |
3.4.3 温度对气敏性能的影响 | 第43-48页 |
3.4.4 传感器对不同气体的响应 | 第48-50页 |
3.4.5 表面修饰对H_2响应-恢复时间的影响 | 第50-52页 |
3.5 本章小结 | 第52-53页 |
第四章 转印法制备SnO_2气敏传感器 | 第53-67页 |
4.1 转印法简介 | 第53页 |
4.2 实验过程 | 第53-55页 |
4.2.1 传感器的制备 | 第53-54页 |
4.2.2 气敏性能的测试 | 第54页 |
4.2.3 SnO_2气敏膜表面形貌分析 | 第54-55页 |
4.3 实验结果及讨论 | 第55-66页 |
4.3.1 SnO_2气敏膜断层厚度 | 第55页 |
4.3.2 传感器的电阻-温度特性 | 第55-57页 |
4.3.3 温度与响应值的关系 | 第57-60页 |
4.3.4 传感器对H_2的响应-恢复时间的影响 | 第60-62页 |
4.3.5 传感器对不同气体的响应 | 第62-63页 |
4.3.6 不同工艺表面修饰SnO_2气敏性能的比较 | 第63-66页 |
4.4 本章小结 | 第66-67页 |
第五章 结论与展望 | 第67-69页 |
5.1 结论 | 第67-68页 |
5.2 展望 | 第68-69页 |
参考文献 | 第69-73页 |
致谢 | 第73-74页 |
附录 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第74页 |