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掺杂及表面修饰对半导体气敏传感器性能的影响

摘要第4-5页
abstract第5-6页
第一章 绪论第9-17页
    1.1 引言第9页
    1.2 半导体气敏传感器工作原理第9-11页
    1.3 掺杂的研究进展第11-14页
        1.3.1 贵金属第12页
        1.3.2 稀土元素第12-13页
        1.3.3 过渡族金属元素第13-14页
    1.4 表面修饰第14-15页
    1.5 研究目的及内容第15-17页
第二章 掺杂对ZnO气敏性能对比研究第17-32页
    2.1 引言第17页
    2.2 实验部分第17-25页
        2.2.1 纳米ZnO材料的制备第17-18页
        2.2.2 纳米ZnO的表征第18-19页
        2.2.3 掺杂ZnO气敏传感器的制备第19-21页
        2.2.4 传感器气敏性能的测试第21-25页
    2.3 实验结果及讨论第25-31页
        2.3.1 离子半径第26-27页
        2.3.2 元素周期第27-28页
        2.3.3 化合价第28-29页
        2.3.4 温度第29-31页
    2.4 本章小结第31-32页
第三章 表面修饰SnO_2气敏传感器性能研究第32-53页
    3.1 丝网印刷工艺简介第32-33页
    3.2溶胶凝胶法制备介孔SnO_2第33-36页
        3.2.1 实验材料第33-34页
        3.2.2 实验仪器第34页
        3.2.3 介孔SnO_2制备过程第34-35页
        3.2.4 介孔SnO_2的表征第35-36页
    3.3 实验过程第36-40页
        3.3.1 SnO_2传感器的制备第36-38页
        3.3.2 气敏性能测试第38-40页
    3.4 实验结果及其讨论第40-52页
        3.4.1 SnO_2气敏膜表面形貌分析第40-42页
        3.4.2 传感器温度-电阻分析第42-43页
        3.4.3 温度对气敏性能的影响第43-48页
        3.4.4 传感器对不同气体的响应第48-50页
        3.4.5 表面修饰对H_2响应-恢复时间的影响第50-52页
    3.5 本章小结第52-53页
第四章 转印法制备SnO_2气敏传感器第53-67页
    4.1 转印法简介第53页
    4.2 实验过程第53-55页
        4.2.1 传感器的制备第53-54页
        4.2.2 气敏性能的测试第54页
        4.2.3 SnO_2气敏膜表面形貌分析第54-55页
    4.3 实验结果及讨论第55-66页
        4.3.1 SnO_2气敏膜断层厚度第55页
        4.3.2 传感器的电阻-温度特性第55-57页
        4.3.3 温度与响应值的关系第57-60页
        4.3.4 传感器对H_2的响应-恢复时间的影响第60-62页
        4.3.5 传感器对不同气体的响应第62-63页
        4.3.6 不同工艺表面修饰SnO_2气敏性能的比较第63-66页
    4.4 本章小结第66-67页
第五章 结论与展望第67-69页
    5.1 结论第67-68页
    5.2 展望第68-69页
参考文献第69-73页
致谢第73-74页
附录 攻读硕士学位期间发表的论文第74页

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