| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 InP材料简介 | 第8-11页 |
| 1.2.1 InP体材料参数 | 第8-10页 |
| 1.2.2 InP基纳米材料光学性质 | 第10-11页 |
| 1.3 量子限域效应 | 第11-13页 |
| 1.4 InP纳米材料的合成方法研究 | 第13-16页 |
| 1.5 本论文的选题依据和主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 溶剂热法合成InP及InP/ZnS量子点 | 第17-26页 |
| 2.1 引言 | 第17-20页 |
| 2.1.1 溶剂热法简介 | 第17-18页 |
| 2.1.2 包覆壳层钝化增强发光 | 第18页 |
| 2.1.3 表征手段 | 第18-20页 |
| 2.2 InP量子点的合成和表征 | 第20-22页 |
| 2.2.1 试剂 | 第20页 |
| 2.2.2 合成过程 | 第20-21页 |
| 2.2.3 XRD与吸收谱测试 | 第21-22页 |
| 2.3 InP/ZnS量子点的合成和表征 | 第22-23页 |
| 2.3.1 试剂 | 第22页 |
| 2.3.2 合成过程 | 第22页 |
| 2.3.3 XRD测试 | 第22-23页 |
| 2.4 InP及InP/ZnS量子点的光学性质 | 第23-25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 热退火对InP/ZnS量子点薄膜光学性质影响的研究 | 第26-37页 |
| 3.1 InP/ZnS量子点中的界面态 | 第27页 |
| 3.2 InP/ZnS量子点薄膜样品的制备简介及退火过程 | 第27-29页 |
| 3.2.1 InP/ZnS量子点薄膜样品的制备 | 第27-28页 |
| 3.2.2 对薄膜样品的退火处理 | 第28-29页 |
| 3.3 InP/ZnS量子点薄膜退火前后样品发光性质分析 | 第29-35页 |
| 3.3.1 室温下InP/ZnS量子点薄膜发光性质分析 | 第30-32页 |
| 3.3.2 低温下InP/ZnS量子点薄膜光学性质分析 | 第32-33页 |
| 3.3.3 变温下InP/ZnS量子点薄膜光学性质分析 | 第33-34页 |
| 3.3.4 InP/ZnS量子点薄膜的时间分辨光致发光测试 | 第34-35页 |
| 3.4 退火前后InP/ZnS量子点薄膜样品的形貌TEM表征和拉曼光谱分析 | 第35-36页 |
| 3.4.1 InP/ZnS量子点薄膜形貌TEM表征 | 第35页 |
| 3.4.2 拉曼光谱分析 | 第35-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 InP/ZnS量子点的非线性光学性质研究 | 第37-46页 |
| 4.1 InP/ZnS量子点的非线性光学性质进展 | 第37-38页 |
| 4.2 Z-scan测试系统 | 第38-40页 |
| 4.3 InP/ZnS量子点非线性光学分析 | 第40-45页 |
| 4.3.1 单光子激发下的InP/ZnS量子点的非线性光学性质 | 第40-42页 |
| 4.3.2 双光子激发下的InP/ZnS量子点的非线性光学性质 | 第42-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 结论 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-55页 |
