| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-36页 |
| 1.1 半导体概述 | 第9-15页 |
| 1.1.1 半导体概念 | 第9-10页 |
| 1.1.2 半导体材料分类 | 第10-12页 |
| 1.1.3 新材料 | 第12-13页 |
| 1.1.4 二维二硫化钼材料 | 第13-15页 |
| 1.2 等离子体 | 第15-35页 |
| 1.2.1 等离子体概念 | 第15-28页 |
| 1.2.2 等离子体蚀刻 | 第28-35页 |
| 1.3 目的与意义 | 第35-36页 |
| 第二章 实验部分 | 第36-51页 |
| 2.1 实验仪器与用品 | 第36-37页 |
| 2.2 制备二硫化钼样品 | 第37-43页 |
| 2.3 原子层蚀刻 | 第43-48页 |
| 2.4 结果分析 | 第48-51页 |
| 第三章 实验结果 | 第51-71页 |
| 3.1 离子束能量分析 | 第51-53页 |
| 3.2 原子层蚀刻 | 第53-59页 |
| 3.3 厚度分析 | 第59-62页 |
| 3.4 表面分析 | 第62-65页 |
| 3.5 对比CVD样品的蚀刻 | 第65-69页 |
| 3.6 电学特性 | 第69-71页 |
| 结论 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 作者简介 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |