| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-12页 |
| 1.2 AlGaN/GaN异质结材料简介 | 第12-16页 |
| 1.2.1 GaN材料的极化效应 | 第12-14页 |
| 1.2.2 AlGaN/GaN异质结二维电子气的形成 | 第14-16页 |
| 1.3 AlGaN/GaNHEMT器件的研究与发展 | 第16-22页 |
| 1.3.1 常规AlGaN/GaNHEMT器件 | 第17-18页 |
| 1.3.2 增强型AlGaN/GaNHEMT器件 | 第18-22页 |
| 1.4 本文主要内容及结构安排 | 第22-23页 |
| 第二章 器件的仿真分析与制备工艺 | 第23-36页 |
| 2.1 凹槽栅MISHEMT的直流特性 | 第23-26页 |
| 2.2 HEMT与凹槽栅MISHEMT的击穿特性 | 第26-29页 |
| 2.3 AlGaN/GaNHEMT器件的制备工艺 | 第29-35页 |
| 2.3.1 清洗与剥离工艺 | 第29-30页 |
| 2.3.2 器件隔离工艺 | 第30-31页 |
| 2.3.3 欧姆接触 | 第31-34页 |
| 2.3.4 镀膜工艺 | 第34-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 AlGaN/GaN凹槽栅MISHEMT器件实验研究 | 第36-54页 |
| 3.1 晶圆材料与版图设计 | 第36-38页 |
| 3.2 AlGaN/GaN凹槽栅MISHEMT器件的结构与工艺流程 | 第38-43页 |
| 3.3 凹槽栅MISHEMT器件的测试与分析 | 第43-48页 |
| 3.3.1 凹槽栅MISHEMT器件的测试与分析 | 第43-46页 |
| 3.3.2 器件尺寸变化对凹槽栅MISHEMT性能的影响 | 第46-48页 |
| 3.4 栅槽刻蚀后的界面修复研究 | 第48-53页 |
| 3.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 基于钽金属栅沉的AlGaN/GaNHEMT新结构研究 | 第54-66页 |
| 4.1 栅沉式AlGaN/GaNHEMT的制备与测试 | 第54-61页 |
| 4.1.1 栅沉式AlGaN/GaNHEMT的结构与工艺流程 | 第54-56页 |
| 4.1.2 栅沉式AlGaN/GaNHEMT的测试与分析 | 第56-59页 |
| 4.1.3 栅沉效应机制分析 | 第59-61页 |
| 4.2 热氧化栅沉式AlGaN/GaNMISHEMT的制备与测试 | 第61-65页 |
| 4.2.1 热氧化栅沉式AlGaN/GaNMISHEMT的结构与工艺流程 | 第61-63页 |
| 4.2.2 热氧化栅沉式AlGaN/GaNMISHEMT的测试与分析 | 第63-65页 |
| 4.3 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第66-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第75页 |
