| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 铁电材料概述 | 第11-16页 |
| 1.2.1 铁电材料主要特征和性质 | 第12-14页 |
| 1.2.2 铁电薄膜的发展及应用 | 第14-16页 |
| 1.2.2.1 铁电随机存储器(FeRAM) | 第15-16页 |
| 1.2.2.2 动态随机存储器(DRAM) | 第16页 |
| 1.3 HfO_2与ZrO_2材料研究现状 | 第16-17页 |
| 1.4 Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_2铁电系统原理 | 第17-19页 |
| 1.5 论文选题及研究方案 | 第19-21页 |
| 第二章 薄膜的制备及表征方法 | 第21-31页 |
| 2.1 常用薄膜制备方法 | 第21页 |
| 2.2 脉冲激光沉积系统介绍 | 第21-23页 |
| 2.3 薄膜微观表征方法 | 第23-27页 |
| 2.3.1 X射线衍射分析(XRD) | 第23-25页 |
| 2.3.2 原子力显微镜(AFM) | 第25-27页 |
| 2.4 薄膜电学性能测试 | 第27-31页 |
| 2.4.1 电极的制备 | 第27页 |
| 2.4.2 薄膜铁电性能测试 | 第27-28页 |
| 2.4.3 薄膜绝缘性能测试 | 第28-29页 |
| 2.4.4 薄膜介电性能测试 | 第29页 |
| 2.4.5 薄膜漏电流机制 | 第29-31页 |
| 第三章 Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_2薄膜沉积工艺分析 | 第31-44页 |
| 3.1 脉冲激光沉积法制备Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_2薄膜 | 第31页 |
| 3.2 氧分压的影响 | 第31-34页 |
| 3.3 薄膜厚度的影响 | 第34-35页 |
| 3.4 衬底温度的影响 | 第35-37页 |
| 3.5 激光能量的影响 | 第37-39页 |
| 3.6 热处理条件的影响 | 第39-43页 |
| 3.6.1 氮气中快速退火 | 第39-42页 |
| 3.6.2 氧气中原位退火 | 第42-43页 |
| 3.7 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_2薄膜电学性能分析 | 第44-57页 |
| 4.1 Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_2薄膜的漏电流分析 | 第44-49页 |
| 4.1.1 氮气退火后薄膜漏电流分析 | 第44-47页 |
| 4.1.2 氧气退火后薄膜漏电流分析 | 第47-49页 |
| 4.2 Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_2薄膜铁电性能分析 | 第49-53页 |
| 4.2.1 组分的影响 | 第49-51页 |
| 4.2.2 热处理条件的影响 | 第51页 |
| 4.2.3 退火气氛的影响 | 第51-52页 |
| 4.2.4 测试电压的影响 | 第52-53页 |
| 4.3 薄膜介电性能分析 | 第53-54页 |
| 4.4 薄膜抗疲劳特性研究 | 第54-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 结论 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 攻读硕士期间取得的成果 | 第62-63页 |
