| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 新型非挥发性存储器 | 第12-20页 |
| 1.2.1 磁存储器(MRAM) | 第12-14页 |
| 1.2.2 铁电存储器(FRAM) | 第14-16页 |
| 1.2.3 相变存储器(PRAM) | 第16-17页 |
| 1.2.4 电阻式随机存储器(RRAM) | 第17-20页 |
| 1.3 RRAM的性能参数及其研究现状 | 第20-23页 |
| 1.3.1 RRAM的性能参数 | 第20-21页 |
| 1.3.2 RRAM的研究现状 | 第21-23页 |
| 1.4 ZnO的基本特性 | 第23-25页 |
| 1.4.1 ZnO薄膜的结构特性 | 第23-24页 |
| 1.4.2 ZnO薄膜的导电特性 | 第24-25页 |
| 1.5 论文研究内容及创新点 | 第25-27页 |
| 第二章 MZO薄膜的制备方法及其表征 | 第27-36页 |
| 2.1 ZnO薄膜的脉冲激光沉积制备方法介绍 | 第27-31页 |
| 2.1.1 常用制备薄膜方法介绍 | 第27-28页 |
| 2.1.2 PLD沉积原理及影响薄膜的生长因素 | 第28-31页 |
| 2.2 MZO薄膜的结构形貌表征方法 | 第31-33页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪 | 第31-32页 |
| 2.2.2 原子力显微镜（AFM） | 第32-33页 |
| 2.3 MZO薄膜的阻变特性测试 | 第33-36页 |
| 2.3.1 电极的制备 | 第33-34页 |
| 2.3.2 MZO薄膜的阻变性能测试 | 第34-36页 |
| 第三章 MZO薄膜的制备工艺和性能研究 | 第36-55页 |
| 3.1 氧分压对ZnO薄膜的结构及阻变性能的影响 | 第36-43页 |
| 3.1.1 实验 | 第36-38页 |
| 3.1.2 氧分压对ZnO薄膜表面形貌的影响 | 第38-39页 |
| 3.1.3 氧分压对ZnO薄膜初始阻值的影响 | 第39-40页 |
| 3.1.4 氧分压对ZnO薄膜阻变特性的影响 | 第40-43页 |
| 3.2 激光强度对ZnO薄膜的影响 | 第43-44页 |
| 3.3 薄膜厚度对ZnO薄膜阻变性能的影响 | 第44-48页 |
| 3.4 Mn掺杂对ZnO阻变特性的影响 | 第48-52页 |
| 3.4.1 掺Mn ZnO(MZO)陶瓷靶材的制备流程 | 第48-49页 |
| 3.4.2 Mn掺杂ZnO（MZO）的表面形貌测试 | 第49页 |
| 3.4.3 Mn掺杂ZnO（MZO）的电学性能测试 | 第49-52页 |
| 3.5 MZO薄膜的保持时间与抗疲劳特性测试 | 第52-54页 |
| 3.6 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 MZO薄膜阻变机理的研究 | 第55-63页 |
| 4.1 非易失性阻变存储器的机制 | 第55-57页 |
| 4.1.1 导电细丝模型 | 第55-56页 |
| 4.1.2 空间电荷限制电流理论（SCLC）模型 | 第56-57页 |
| 4.1.3 普尔-法兰克（Poole-Frenkel, PF）效应 | 第57页 |
| 4.1.4 修饰界面肖特基势垒理论模型 | 第57页 |
| 4.2 MZO的阻变机理的探究 | 第57-61页 |
| 4.3 金属电极保护层Au对MZO阻变效应的影响 | 第61-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 攻读硕士期间取得的成果 | 第70-71页 |
