首页--工业技术论文--一般工业技术论文--工程材料学论文--功能材料论文

PbTe及AgnPbmMnTem+2n(M=Sb,Bi,La)热电材料的液相合成及其机理研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
第1章 绪论第9-30页
    1.1 课题背景第9-11页
    1.2 热电材料的发展第11-13页
    1.3 热电效应及热电优值第13-14页
        1.3.1 Seebeck 效应第13页
        1.3.2 Peltier 效应第13页
        1.3.3 Thomson 效应第13-14页
        1.3.4 热电优值第14页
    1.4 提高热电性能的方法第14-17页
        1.4.1 减小维度第14-15页
        1.4.2 提高载流子浓度第15-16页
        1.4.3 增加载流子迁移率第16-17页
        1.4.4 能量过滤效应第17页
    1.5 典型的热电材料第17-23页
        1.5.1 碲化镧热电材料第18页
        1.5.2 碲化铜热电材料第18-19页
        1.5.3 碲化镉热电材料第19-20页
        1.5.4 碲化铋和碲化锑热电材料第20-21页
        1.5.5 碲化铅热电材料第21-22页
        1.5.6 电子晶体-声子玻璃(PGEC)热电材料第22-23页
    1.6 几种制备铅碲基纳米热电材料的方法第23-27页
        1.6.1 粉末冶金法和气相生长法第23页
        1.6.2 水热溶剂热法第23-24页
        1.6.3 溶胶凝胶法第24-25页
        1.6.4 微乳液法第25-26页
        1.6.5 复合碱媒介法第26页
        1.6.6 超声辅助合成法和微波法第26-27页
    1.7 本文的主要研究内容第27-30页
第2章 实验材料及研究方法第30-34页
    2.1 实验材料及仪器设备第30-31页
        2.1.1 主要化学试剂第30页
        2.1.2 实验仪器第30-31页
    2.2 实验方法第31页
    2.3 材料表征与性能测试第31-34页
        2.3.1 物相分析第31-32页
        2.3.2 微观形貌分析第32页
        2.3.3 材料电学性能测试第32页
        2.3.4 材料红外光谱测试第32-33页
        2.3.5 材料的拉曼光谱测定第33-34页
第3章 具有漏斗状和粗糙纳米线状的 PbTe 晶体溶剂热制备及其形貌演变机理第34-47页
    3.1 引言第34页
    3.2 PbTe 样品的溶剂热法合成第34-36页
        3.2.1 PbTe 样品的制备第34-35页
        3.2.2 PbTe 样品的表征第35-36页
    3.3 不同反应条件对样品形貌的影响第36-41页
        3.3.1 反应温度的影响第36-37页
        3.3.2 KOH 加入量的影响第37-38页
        3.3.3 反应溶剂的影响第38-39页
        3.3.4 表面活性剂的影响第39-41页
    3.4 漏斗状 PbTe 样品的化学反应原理及生长机理研究第41-45页
        3.4.1 化学反应原理第41-43页
        3.4.2 生长机理第43-45页
    3.5 漏斗状和线状样品的光学性质第45-46页
    3.6 本章小结第46-47页
第4章 不同形貌 Ag_nPb_mM_nTe_(m+2n)(M=Sb, Bi, La)纳米材料溶剂热合成及其生长机理的研究第47-66页
    4.1 引言第47-48页
    4.2 Ag_nPb_mM_nTe_(m+2n)(M=Sb, Bi, La)样品的水热法合成第48-51页
        4.2.1 Ag_nPb_mM_nTe_(m+2n)(M=Sb, Bi, La)样品的制备第48-49页
        4.2.2 Ag_nPb_mM_nTe_(m+2n)(M=Sb, Bi, La)样品的表征第49-51页
    4.3 不同反应条件对产物形貌的影响第51-57页
        4.3.1 反应温度的影响第51-52页
        4.3.2 KOH 加入量的影响第52-54页
        4.3.3 反应溶剂的影响第54-57页
        4.3.4 表面活性剂的影响第57页
    4.4 不同形貌的 Ag_nPb_mM_nTe_(m+2n)(M=Sb, Bi, La)的生长机理研究第57-62页
        4.4.1 AgPb_(10)SbTe_(12)球壳样品的生长机理第57-59页
        4.4.2 AgPb_(10)BiTe_(12)网筛状样品的生长机理研究第59-60页
        4.4.3 AgPb_(10)LaTe_(12)花状样品的生长机理研究第60-62页
    4.5 不同形貌样品的电学和光学性质第62-64页
        4.5.1 不同形貌样品的电导率第62-63页
        4.5.2 不同形貌样品的拉曼光谱第63-64页
    4.6 本章小结第64-66页
结论第66-67页
参考文献第67-78页
攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果第78-80页
致谢第80页

论文共80页,点击 下载论文
上一篇:溅射和退火工艺参数对多晶硅薄膜结构和性能的影响
下一篇:(C_f+Ti_p)/6061Al复合材料高温力学性能及耐腐蚀性能研究