| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 太阳能电池的发展状况 | 第10-12页 |
| 1.2 硅太阳能电池的研究现状 | 第12-17页 |
| 1.2.1 单晶硅太阳能电池的研究现状 | 第12-13页 |
| 1.2.2 非晶硅薄膜太阳能电池的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.2.3 多晶硅薄膜太阳能电池的研究现状 | 第14-17页 |
| 1.3 磁控溅射和退火法制备多晶硅薄膜的研究现状 | 第17-20页 |
| 1.3.1 磁控溅射制备硅薄膜的研究现状 | 第17-19页 |
| 1.3.2 退火法制备多晶硅薄膜的研究现状 | 第19-20页 |
| 1.4 主要研究内容 | 第20-22页 |
| 第二章 实验内容及表征方法 | 第22-27页 |
| 2.1 实验材料 | 第22页 |
| 2.2 衬底的预处理 | 第22-23页 |
| 2.2.1 石英玻璃的预处理 | 第22页 |
| 2.2.2 硅片的预处理 | 第22-23页 |
| 2.3 多晶硅薄膜的制备技术 | 第23-24页 |
| 2.3.1 磁控溅射仪的设备简述和基本原理 | 第23-24页 |
| 2.3.2 退火处理 | 第24页 |
| 2.4 多晶硅薄膜的测试与表征 | 第24-27页 |
| 2.4.1 材料的结构分析 | 第25页 |
| 2.4.2 材料的形貌分析 | 第25页 |
| 2.4.3 材料的成分分析 | 第25页 |
| 2.4.4 材料的性能分析 | 第25-27页 |
| 第三章 磁控溅射工艺参数对 n 型 Si 薄膜微观结构的影响 | 第27-45页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 实验方案 | 第27-28页 |
| 3.3 不同溅射工艺参数制备 n 型 Si 薄膜的 XRD 分析 | 第28-33页 |
| 3.3.1 不同衬底材料的薄膜的 XRD 分析 | 第28页 |
| 3.3.2 不同衬底温度下制备的薄膜的 XRD 分析 | 第28-31页 |
| 3.3.3 不同溅射功率制备薄膜的 XRD 分析 | 第31-32页 |
| 3.3.4 不同溅射气压制备薄膜的 XRD 分析 | 第32-33页 |
| 3.4 溅射工艺参数对 n 型 Si 薄膜的形貌影响的研究 | 第33-37页 |
| 3.4.1 衬底温度对薄膜表面形貌的影响 | 第33-35页 |
| 3.4.2 溅射功率对薄膜表面形貌的影响 | 第35-36页 |
| 3.4.3 溅射气压对薄膜表面形貌的影响 | 第36-37页 |
| 3.5 溅射工艺参数对 n 型 Si 薄膜厚度的影响 | 第37-42页 |
| 3.5.1 溅射时间对薄膜厚度的影响 | 第37-39页 |
| 3.5.2 溅射功率对薄膜厚度的影响 | 第39-41页 |
| 3.5.3 溅射气压对薄膜厚度的影响 | 第41-42页 |
| 3.6 溅射工艺参数对 n 型 Si 薄膜成分的影响 | 第42-44页 |
| 3.6.1 溅射气压对薄膜成分的影响 | 第42-43页 |
| 3.6.2 溅射功率对薄膜成分的影响 | 第43-44页 |
| 3.7 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 退火处理多晶 n 型 Si 薄膜的结构和性能研究 | 第45-57页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 实验方案 | 第45-46页 |
| 4.3 不同退火温度下多晶 n 型 Si 薄膜的 XRD 分析 | 第46-49页 |
| 4.3.1 不同衬底材料的薄膜退火后的 XRD 分析 | 第46-47页 |
| 4.3.2 不同退火温度下的薄膜的 XRD 分析 | 第47-49页 |
| 4.4 不同退火温度下的多晶 n 型 Si 薄膜的形貌分析 | 第49-50页 |
| 4.5 退火处理后的薄膜表面的 XPS 分析 | 第50-53页 |
| 4.6 退火温度对 n 型 Si 薄膜的光学性质的影响的研究 | 第53-55页 |
| 4.7 本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 单晶硅/多晶硅 p-n 结的制备与性能研究 | 第57-65页 |
| 5.1 引言 | 第57页 |
| 5.2 单晶硅/多晶硅 p-n 结的制备 | 第57-59页 |
| 5.3 电极材料的退火温度对 Al/Si 欧姆接触的影响 | 第59-60页 |
| 5.4 n 型 Si 薄膜的结构对 p-n 结性能的影响 | 第60-64页 |
| 5.5 本章小结 | 第64-65页 |
| 结论 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
